參數(shù)資料
型號： FMMT560
廠商： ZETEX PLC
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： PNP SILICON PLANAR HIGH VOLTAGE TRANSISTOR
中文描述： 150 mA, 500 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
文件頁數(shù)： 1/2頁
文件大?。?/td> 42K
代理商： FMMT560
SOT23 PNP SILICON PLANAR
HIGH VOLTAGE TRANSISTOR
ISSUE 1 – NOVEMBER 1998
FEATURES
*
*
Excellent h
characterisristics up to I
C
=50mA
Low Saturation voltages
PARTMARKING DETAIL –
560
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
SYMBOL
VALUE
UNIT
Collector-Base Voltage
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
CM
I
C
P
tot
T
j
:T
stg
-500
V
Collector-Emitter Voltage
-500
V
Emitter-Base Voltage
-5
V
Peak Pulse Current
-500
mA
Continuous Collector Current
-150
mA
Power Dissipation
500
mW
Operating and Storage Temperature Range
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C).
PARAMETER
-55 to +150
°C
SYMBOL
MIN.
MAX.
UNIT
CONDITIONS.
Collector-Base Breakdown
Voltage
V
(BR)CBO
-500
V
I
C
=-100
μ
A
Collector-Emitter Breakdown
Voltage
V
BR(CEO)
-500
V
I
C
=-10mA*
Emitter-Base Breakdown Voltage
V
(BR)EBO
I
CBO
; I
CES
I
EBO
V
CE(sat)
-5
V
I
E
=-100
μ
A
V
CB
=-500V; V
CE
=-500V
V
EB
=-5V
I
C
=-20mA, I
B
=-2mA *
I
C
=-50mA, I
B
=-10mA *
I
C
=-50mA, I
B
=-10mA *
Collector Cut-Off Current
-100
nA
Emitter Cut-Off Current
-100
nA
Collector-Emitter Saturation
Voltage
-0.2
-0.5
V
V
Base-Emitter
Saturation Voltage
V
BE(sat)
-0.9
V
Base-Emitter Turn On Voltage
V
BE(on)
h
FE
-0.9
V
I
C
=-50mA, V
CE
=-10V *
I
C
=-1mA, V
CE
=-10V
I
C
=-50mA, V
CE
=-10V *
I
C
=-100mA, V
CE
=-10V*
V
=-20V, I
C
=-10mA,
f=50MHz
Static Forward Current Transfer
Ratio
100
80
15 typ
300
300
Transition Frequency
f
T
60
MHz
Output Capacitance
C
obo
t
on
t
off
8
pF
V
CB
=-20V, f=1MHz
V
CE
=-100V, I
C
=-50mA,
I
B1
=-5mA, I
B2
=10mA
Switching times
110 typ.
1.5 typ.
ns
μ
s
* Measured under pulsed conditions. Pulse width=300
μ
s. Duty cycle
≤
2%
C
B
E
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