參數(shù)資料
型號(hào)： FMMT589
廠商： ZETEX PLC
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH PERFORMANCE TRANSISTOR
中文描述： 1000 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： SOT-23, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/1頁
文件大小： 48K
代理商： FMMT589
SOT23 PNP SILICON PLANAR MEDIUM
POWER HIGH PERFORMANCE TRANSISTOR
ISSUE 5 - JANUARY 1997
%
FEATURES
*
Low equivalent on-resistance;
R
CE(sat)
250m
at 1A
PARTMARKING DETAILS -
COMPLEMENTARY TYPE -
589
FMMT489
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
SYMBOL
VALUE
UNIT
Collector-Base Voltage
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
CM
I
C
I
B
P
tot
T
j
:T
stg
-50
V
Collector-Emitter Voltage
-30
V
Emitter-Base Voltage
-5
V
Peak Pulse Current
-2
A
Continuous Collector Current
-1
A
Base Current
-200
mA
Power Dissipation at T
amb
=25°C
Operating and Storage Temperature Range
500
mW
-55 to +150
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C).
PARAMETER
SYMBOL MIN.
MAX.
UNIT
CONDITIONS.
I
C
=-100
μ
A
Collector-Base Breakdown
Voltage
V
(BR)CBO
-50
V
Collector-Emitter Breakdown
Voltage
V
(BR)CEO
-30
V
I
C
=-10mA*
Emitter-Base Breakdown Voltage V
(BR)EBO
-5
V
I
E
=-100
μ
A
V
CB
=-30V
V
CES
=-30V
Collector Cut-Off Current
I
CBO
I
CES
-100
nA
Collector -Emitter Cut-Off
Current
-100
nA
Emitter Cut-Off Current
I
EBO
V
CE(sat)
-100
nA
V
EB
=-4V
I
C
=-0.5A, I
=-50mA*
I
C
=-1A, I
B
=-100mA*
I
C
=-2A, I
B
=-200mA*
I
C
=-1A, I
B
=-100mA*
Collector-Emitter
Saturation Voltage
-0.25
-0.35
-0.65
V
V
V
Base-Emitter
Saturation Voltage
V
BE(sat)
-1.2
V
Base-Emitter
Turn-on Voltage
V
BE(on)
-1.1
V
I
C
=-1A, V
CE
=-2V*
Static Forward Current Transfer
Ratio
h
FE
100
100
80
40
300
I
C
=-1mA, V
=-2V*
I
C
=-500mA, V
=-2V*
I
C
=-1A, V
CE
=-2V*
I
C
=-2A, V
CE
=-2V*
I
=-100mA, V
CE
=-5V
f=100MHz
Transition Frequency
f
T
100
MHz
Output Capacitance
C
obo
15
pF
V
CB
=-10V, f=1MHz
*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300
μ
s. Duty cycle
≤
2%
For typical Characteristics graphs see FMMT549 datasheet
FMMT589
C
B
E
3 - 136
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FMMT591 SOT23 PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR
FMMT591 PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR
FMMT593 PNP SILICON PLANAR HIGH VOLTAGE TRANSISTOR
FMMT596 PNP SILICON PLANAR HIGH VOLTAGE TRANSISTOR
FMMT597 PNP SILICON PLANAR HIGH VOLTAGE TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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FMMT589TA 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Medium Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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