參數(shù)資料
型號(hào)： FMMT597
廠商： ZETEX PLC
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： PNP SILICON PLANAR HIGH VOLTAGE TRANSISTOR
中文描述： 200 mA, 300 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： SOT-23, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 1/2頁(yè)
文件大?。?/td> 114K
代理商： FMMT597
SOT23 PNP SILICON PLANAR
HIGH VOLTAGE TRANSISTOR
ISSUE 3 - OCTOBER 1995
COMPLEMENTARY TYPE FMMT497
PARTMARKING DETAIL - 597
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
SYMBOL
VALUE
UNIT
Collector-Base Voltage
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
CM
I
C
I
B
P
tot
T
j
:T
stg
-300
V
Collector-Emitter Voltage
-300
V
Emitter-Base Voltage
-5
V
Peak Pulse Current
-1
A
Continuous Collector Current
-0.2
A
Base Current
-200
mA
Power Dissipation at T
amb
=25°C
Operating and Storage Temperature Range
500
mW
-55 to +150
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C).
PARAMETER
SYMBOL MIN.
MAX. UNITCONDITIONS.
Collector-Base Breakdown Voltage
V
(BR)CBO
-300
V
I
C
=-100
μ
A
Collector-Emitter Breakdown Voltage
V
(BR)CEO
-300
V
I
C
=-10mA*
I
E
=-100
μ
A
Emitter-Base Breakdown Voltage
V
(BR)EBO
-5
V
Collector Cut-Off Current
I
CBO
-100
nA
V
CB
=-250V
Emitter Cut-Off Current
I
EBO
-100
nA
V
EB
=-4V
Collector-Emitter Cut-Off Current
I
CES
-100
nA
V
CES
=-250V
Emitter Saturation Voltages
V
CE(sat)
-0.25
-0.25
V
V
I
C
=-50mA, I
B
=-5mA
I
C
=-100mA,
I
B
=-20mA*
V
BE(sat)
-1.0
V
I
C
=-100mA,
I
B
=-20mA*
Base-Emitter Turn-on Voltage
V
BE(on)
-0.85
V
I
C
=-100mA,V
CE
=-10V*
I
C
=-1mA, V
CE
=-10V
I
C
=-50mA,V
CE
=-10V*
I
C
=-100mA,V
CE
=-10V*
Static Forward Current Transfer Ratio
h
FE
100
100
100
300
Transition Frequency
f
T
75
MHz I
=-50mA, V
CE
=-10V
f=100MHz
Output Capacitance
C
obo
10
pF
V
CB
=-10V, f=1MHz
*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300
μ
s. Duty cycle
≤
2%
Spice parameter data is available upon request for this device
FMMT597
C
B
E
3 - 145
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