參數(shù)資料
型號(hào): FMMT549
廠商: ZETEX PLC
元件分類: 小信號(hào)晶體管
英文描述: PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS
中文描述: 1000 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝: SOT-23, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù): 2/3頁(yè)
文件大?。?/td> 25K
代理商: FMMT549
MHz
100
I
C
= 100 mA,V
CE
= 5 V, f=100MHz
Transition Frequency
f
T
pF
25
V
CB
= 10 V, I
E
= 0, f = 1MHz
Output Capacitance
C
obo
SMALL SIGNAL CHARACTERISTICS
V
1
I
C
= 1 A, V
CE
= 2 V
Base-Emitter On Voltage
V
BE(on)
V
1.25
I
C
= 1 A, I
B
= 100 mA
Base-Emitter Saturation Voltage
V
BE(sat)
mV
mV
500
750
I
C
= 1 A, I
B
= 100 mA
I
C
= 2 A, I
B
= 200 mA
Collector-Emitter Saturation Voltage
V
CE(sat)
-
300
70
100
80
40
I
C
= 50 mA, V
CE
= 2V
I
C
= 500 mA, V
CE
= 2V
I
C
= 1A, V
CE
= 2V
I
C
= 2A, V
CE
= 2V
DC Current Gain
h
FE
ON CHARACTERISTICS
*
nA
100
V
EB
= 4V
Emitter Cutoff Current
I
EBO
nA
uA
100
10
V
CB
= 30 V
V
CB
= 30 V, Ta=100°C
Collector Cutoff Current
I
CBO
V
5
I
E
= 100
μ
A
Emitter-Base Breakdown Voltage
BV
EBO
V
35
I
C
= 100
μ
A
Collector-Base Breakdown Voltage
BV
CBO
V
30
I
C
= 10 mA
Collector-Emitter Breakdown Voltage
BV
CEO
OFF CHARACTERISTICS
Units
Max
Min
Test Conditions
Parameter
Symbol
PNP Low Saturation Transistor
(continued)
Electrical Characteristics
T
A = 25°C unless otherwise noted
*Pulse Test: Pulse Width
300
μ
s, Duty Cycle
2.0%
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1998 Fairchild Semiconducto Corporation
fmmt549.lwpPrPB 7/10/98 revB
F
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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FMMT551 PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR
FMMT555 PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR
FMMT558 PNP SILICON PLANAR HIGH VOLTAGE TRANSISTOR
FMMT560 PNP SILICON PLANAR HIGH VOLTAGE TRANSISTOR
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參數(shù)描述
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