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參數(shù)資料
| 型號： | FMMT549 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | PNP Low Saturation Transistor |
| 中文描述： | 1000 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | SUPERSOT-3 |
| 文件頁數(shù)： | 2/3頁 |
| 文件大小： | 25K |
| 代理商： | FMMT549 |
MHz
100
I
C
= 100 mA,V
CE
= 5 V, f=100MHz
Transition Frequency
f
T
pF
25
V
CB
= 10 V, I
E
= 0, f = 1MHz
Output Capacitance
C
obo
SMALL SIGNAL CHARACTERISTICS
V
1
I
C
= 1 A, V
CE
= 2 V
Base-Emitter On Voltage
V
BE(on)
V
1.25
I
C
= 1 A, I
B
= 100 mA
Base-Emitter Saturation Voltage
V
BE(sat)
mV
mV
500
750
I
C
= 1 A, I
B
= 100 mA
I
C
= 2 A, I
B
= 200 mA
Collector-Emitter Saturation Voltage
V
CE(sat)
-
300
70
100
80
40
I
C
= 50 mA, V
CE
= 2V
I
C
= 500 mA, V
CE
= 2V
I
C
= 1A, V
CE
= 2V
I
C
= 2A, V
CE
= 2V
DC Current Gain
h
FE
ON CHARACTERISTICS
*
nA
100
V
EB
= 4V
Emitter Cutoff Current
I
EBO
nA
uA
100
10
V
CB
= 30 V
V
CB
= 30 V, Ta=100°C
Collector Cutoff Current
I
CBO
V
5
I
E
= 100
μ
A
Emitter-Base Breakdown Voltage
BV
EBO
V
35
I
C
= 100
μ
A
Collector-Base Breakdown Voltage
BV
CBO
V
30
I
C
= 10 mA
Collector-Emitter Breakdown Voltage
BV
CEO
OFF CHARACTERISTICS
Units
Max
Min
Test Conditions
Parameter
Symbol
PNP Low Saturation Transistor
(continued)
Electrical Characteristics
T
A = 25°C unless otherwise noted
*Pulse Test: Pulse Width
≤
300
μ
s, Duty Cycle
≤
2.0%
Page 2 of 2
1998 Fairchild Semiconducto Corporation
fmmt549.lwpPrPB 7/10/98 revB
F
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FMMT549 | PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS |
| FMMT549A | PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS |
| FMMT551 | PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR |
| FMMT555 | PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR |
| FMMT558 | PNP SILICON PLANAR HIGH VOLTAGE TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| FMMT549_06 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:PNP Low Saturation Transistor |
| FMMT549A | 制造商:ZETEX 制造商全稱:ZETEX 功能描述:PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS |
| FMMT549ATA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Medium Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| FMMT549ATC | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Medium Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| FMMT549TA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Medium Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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