參數(shù)資料
型號(hào)： FMMT549
廠(chǎng)商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類(lèi)： 小信號(hào)晶體管
英文描述： PNP Low Saturation Transistor
中文描述： 1000 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： SUPERSOT-3
文件頁(yè)數(shù)： 1/3頁(yè)
文件大?。?/td> 25K
代理商： FMMT549
FMMT549
PNP Low Saturation Transistor
These devices are designed with high current gain and low saturation voltage with collector currents up to 2A
continuous.
Absolute Maximum Ratings*
T
A = 25°C unless otherwise noted
°C
-55 to +150
Operating and Storage Junction Temperature Range
T
J,
T
stg
A
1
2
Collector Current - Continuous
- Peak Pulse Current
I
C
V
5
Emitter-Base Voltage
V
EBO
V
35
Collector-Base Voltage
V
CBO
V
30
Collector-Emitter Voltage
V
CEO
Units
FMMT549
Parameter
Symbol
*These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.
NOTES:
1) These ratings are based on a maximum junction temperature of 150°C.
2) These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.
Thermal Characteristics
T
A = 25°C unless otherwise noted
°C/W
250
Thermal Resistance, Junction to Ambient
R
θ
JA
mW
mW/°C
500
4
Total Device Dissipation*
Derate above 25°C
P
D
FMMT549
Units
Max
Characteristic
Symbol
*Device mounted on FR-4 PCB 4.5” X 5”; mounting pad 0.02 in
2
of 2oz copper.
Page 1 of 2
1998 Fairchild Semiconducto Corporation
fmmt549.lwpPrPB 7/10/98 revB
F
SuperSOT
TM
-3 (SOT-23)
C
E
B
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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FMMT549A PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS
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FMMT555 PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR
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