參數(shù)資料
型號(hào): FMM7G30US60N
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: IGBT 晶體管
英文描述: Compact & Complex Module
中文描述: 30 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝: 24PM-AA, 24 PIN
文件頁(yè)數(shù): 7/9頁(yè)
文件大?。?/td> 972K
代理商: FMM7G30US60N
2003 Fairchild Semiconductor Corporation
FMM7G30US60N Rev. A
F
-25
0
25
50
75
100
125
1
10
Tem
perature, T [
o
C
]
R
e
[
]
-25
0
25
perature [
o
50
75
100
3400
3450
3500
3550
3600
3650
3700
3750
3800
Tem
C
]
B
o
Fig 20. NTC Characteristics
Fig 19. NTC Characteristics
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PDF描述
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參數(shù)描述
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FMM7G30US60SN 功能描述:IGBT 模塊 Compact Module Complex RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FMM7G50US60I 功能描述:IGBT 模塊 600V 50A Module RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FMM7G50US60N 功能描述:IGBT 模塊 600V 50A Module RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FMM942-004-BK 制造商:Panduit Corp 功能描述: