參數(shù)資料
型號： FMM7G30US60N
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： Compact & Complex Module
中文描述： 30 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： 24PM-AA, 24 PIN
文件頁數(shù)： 3/9頁
文件大?。?/td> 972K
代理商： FMM7G30US60N
2003 Fairchild Semiconductor Corporation
FMM7G30US60N Rev. A
F
Electrical Characteristics of DIODE
@ Inverter & Brake
T
C
= 25
°
C unless otherwise noted
Electrical Characteristics of DIODE
@ Converter
T
C
= 25
°
C unless otherwise noted
Thermal Characteristics
NTC Thermistor Characteristics
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
--
--
--
--
--
--
--
--
Typ.
2.0
2.0
90
130
2.2
3.4
400
880
Max.
2.8
--
180
--
3.4
--
600
--
Units
V
FM
Diode Forward Voltage
I
F
= 30A
T
C
= 25
°
C
T
C
= 100
°
C
T
C
= 25
°
C
T
C
= 100
°
C
T
C
= 25
°
C
T
C
= 100
°
C
T
C
= 25
°
C
T
C
= 100
°
C
V
t
rr
Diode Reverse Recovery Time
I
F
= 30A
di / dt = 60 A/us
ns
I
rr
Diode Peak Reverse Recovery
Current
A
Q
rr
Diode Reverse Recovery Charge
nC
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
--
--
--
--
Typ.
1.1
1.0
--
5
Max.
1.5
--
8
--
Units
V
FM
Diode Forward Voltage
I
F
= 30A
T
C
= 25
°
C
T
C
= 100
°
C
T
C
= 25
°
C
T
C
= 100
°
C
V
I
RRM
Repetitive Reverse Current
V
R
= V
RRM
mA
Symbol
R
θ
JC
R
θ
JC
R
θ
JC
R
θ
JC
R
θ
JC
Parameter
Typ.
--
--
--
--
--
210
Max.
1.2
1.5
1.2
1.5
1.3
--
Units
°
C
/
W
°
C
/
W
°
C
/
W
°
C
/
W
°
C
/
W
g
Inverter
Junction-to-Case (IGBT Part, per 1/6 Module)
Junction-to-Case (DIODE Part, per 1/6 Module)
Junction-to-Case (IGBT Part)
Junction-to-Case (DIODE Part)
Junction-to-Case (DIODE Part, per 1/6 Module)
Weight of Module
Brake
Converter
Weight
Symbol
R
25
R
100
B
(25/100)
Parameter
Tol.
+/- 5 %
+/- 5 %
+/- 3 %
Typ.
5.0
0.415
3692
Units
K
K
Thermistor
Rated Resistance @ Tc = 25
°
C
Rated Resistance @ Tc = 100
°
C
B - Value
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PDF描述
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FMM7G50US60N 功能描述:IGBT 模塊 600V 50A Module RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
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