參數(shù)資料
型號： FMM7G30US60N
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： Compact & Complex Module
中文描述： 30 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： 24PM-AA, 24 PIN
文件頁數(shù)： 5/9頁
文件大?。?/td> 972K
代理商： FMM7G30US60N
2003 Fairchild Semiconductor Corporation
FMM7G30US60N Rev. A
F
20
30
40
50
60
100
1000
10000
Eoff
Eon
Common Emitter
V
GE
=
±
15V, R
G
= 15
T
C
= 25
℃
━━
T
C
= 125
℃
------
S
i
C
ollector C
urrent, I
C
[A
]
20
30
40
50
60
100
1000
Tf
Toff
C
ollector C
urrent, I
C
[A
]
S
i
e
Common Emitter
V
GE
=
±
15V, R
G
= 15
T
C
= 25
℃
━━
T
C
= 125
℃
------
20
30
40
50
60
100
1000
Ton
Tr
S
i
e
C
ollector C
urrent, I
C
[A
]
Common Emitter
V
GE
=
±
15V, R
G
= 15
T
C
= 25
℃
━━
T
C
= 125
℃
------
20
40
60
80
100
100
1000
10000
Eon
Eoff
G
ate R
esistance, R
g[
]
S
i
Common Emitter
V
CC
= 300V, V
GE
=
±
15V
I
C
= 30A
T
C
= 25
℃
━━
T
C
= 125
℃
------
20
40
ate R
60
80
100
100
1000
Tr
Ton
G
esistance, R
g[
]
S
i
e
Common Emitter
V
CC
= 300V, V
GE
=
±
15V
I
C
= 30A
T
C
= 25
℃
━━
T
C
= 125
℃
------
20
40
60
80
100
100
1000
Tf
Toff
G
ate R
esistance, R
g[
]
S
i
e
Common Emitter
V
= 300V, V
GE
=
±
15V
I
C
= 30A
T
C
= 25
℃
━━
T
C
= 125
℃
------
Fig 7. Turn-On Characteristics vs.
Gate Resistance
Fig 8. Turn-Off Characteristics vs.
Gate Resistance
Fig 11. Turn-Off Characteristics vs.
Collector Current
Fig 12. Switching Loss vs. Collector Current
Fig 9. Switching Loss vs. Gate Resistance
Fig 10. Turn-On Characteristics vs.
Collector Current
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