參數(shù)資料
型號： FMM7G30US60N
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： Compact & Complex Module
中文描述： 30 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： 24PM-AA, 24 PIN
文件頁數(shù)： 6/9頁
文件大?。?/td> 972K
代理商： FMM7G30US60N
2003 Fairchild Semiconductor Corporation
FMM7G30US60N Rev. A
F
0
400
800
1200
1600
1E-3
0.01
0.1
1
10
100
1000
25
℃
T
C
= 125
℃
V
R
, Reverse Voltage [V]
I
R
,
5
10
15
20
25
30
0.5
1
10
20
Common Cathode
di/dt = 60A/us
T
C
= 25
℃
T
C
= 100
℃
I
rr
T
rr
P
R
Forward Current, I
F
[A]
0
1
2
3
4
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
Common Cathode
V
GE
= 0V
T
C
= 25
℃
T
C
= 125
℃
F
Forward Voltage, V
F
[V]
0
100
200
300
400
500
600
700
0.1
1
10
100
Single Nonrepetitive
Pulse T
J
≤
125
℃
V
GE
= 15V
R
G
= 15
C
Collector-Emitter Voltage, V
CE
[V]
0
20
40
60
80
100
0
3
6
9
12
15
300 V
200 V
V
C
C
= 100 V
C
R
om
m
on Em
itter
L
= 10
T
C
= 25
o
C
G
a
i
G
E
G
ate C
harge, Q
g
[nC
]
Fig 13. Gate Charge Characteristics
Fig 14. RBSOA Characteristics
Fig 15. Forward Characteristics
Fig 16. Reverse Recovery Characteristics
Fig 17. Rectifier( Converter ) Characteristics
Fig 18. Rectifier( Converter ) Characteristics
0.1
1
10
100
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
25
℃
T
C
=125
℃
V
F
, Forward Voltage [V]
I
F
,
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PDF描述
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FMM7G50US60N 功能描述:IGBT 模塊 600V 50A Module RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FMM942-004-BK 制造商:Panduit Corp 功能描述:
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