參數(shù)資料
型號： FMM5829X
廠商： SUMITOMO ELECTRIC DEVICE INNOVATIONS, INC.
英文描述： K-Band Power Amplifier MMIC
中文描述： K波段單片功率放大器
文件頁數(shù)： 6/14頁
文件大?。?/td> 264K
代理商： FMM5829X
6
IMD vs. Output Power
by Drain Voltage
K-Band Power Amplifier MMIC
FMM5829X
IMD vs. Output Power
by Drain Voltage
IMD vs. Output Power
by Drain Voltage
IDD(DC)=800mA, f=21GHz
-60
-55
-50
-45
-40
-35
-30
-25
-20
-15
-10
16
18
20
22
24
26
28
30
32
2-tone Total Pout [dBm]
I
5V
6V
7V
8V
IM5
IM3
IDD(DC)=800mA, f=23GHz
-60
-55
-50
-45
-40
-35
-30
-25
-20
-15
-10
16
18
20
22
24
26
28
30
32
2-tone Total Pout [dBm]
I
5V
6V
7V
8V
IM5
IM3
IDD(DC)=800mA, f=25GHz
-60
-55
-50
-45
-40
-35
-30
-25
-20
-15
-10
16
18
20
22
24
26
28
30
32
2-tone Total Pout [dBm]
I
5V
6V
7V
8V
IM5
IM3
IMD vs. Output Power
by Drain Voltage
IDD(DC)=800mA, f=27GHz
-60
-55
-50
-45
-40
-35
-30
-25
-20
-15
-10
16
18
20
22
24
26
28
30
32
2-tone Total Pout [dBm]
I
5V
6V
7V
8V
IM5
IM3
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FMM6G30US60 Compact & Complex Module
FMM6G50US60 Compact & Complex Module
FMM7G30US60N Compact & Complex Module
FMMD2838 SOT23 SILICON PLANAR HIGH SPEED SWITCHING COMMON CATHODE DIODE PAIR
FMMD6100 SOT23 SILICON PLANAR HIGH SPEED SWITCHING COMMON CATHODE DIODE PAIR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FMM60-02TF 功能描述:MOSFET PHASE LEG MOSFET MOD HALF-BRIDGE 33V 33A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FMM65-015P 功能描述:分立半導(dǎo)體模塊 65 Amps 150V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:Thyristor Power Modules 類型:Phase Controls 安裝風(fēng)格:Screw 封裝 / 箱體:DT61 封裝:
FMM6G20US60 功能描述:IGBT 模塊 RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FMM6G20US60S 功能描述:IGBT 模塊 RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FMM6G30US60 功能描述:IGBT 模塊 RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報(bào)價(jià)

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*