參數(shù)資料
型號： FMM5829X
廠商： SUMITOMO ELECTRIC DEVICE INNOVATIONS, INC.
英文描述： K-Band Power Amplifier MMIC
中文描述： K波段單片功率放大器
文件頁數(shù)： 4/14頁
文件大?。?/td> 264K
代理商： FMM5829X
4
Output Power, Drain Current vs.
Input Power by Drain Voltage
K-Band Power Amplifier MMIC
FMM5829X
Output Power, Drain Current vs.
Input Power by Drain Voltage
IDD(DC)=800mA, f=23GHz
Output Power, Drain Current vs.
Input Power by Drain Voltage
IDD(DC)=800mA, f=25GHz
IDD(DC)=800mA, f=21GHz
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Input Power [dBm]
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D
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5V
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Drain Current
Pout
Output Power, Drain Current vs.
Input Power by Drain Voltage
IDD(DC)=800mA, f=27GHz
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Input Power [dBm]
O
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Drain Current
Pout
相關PDF資料
PDF描述
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FMM6G50US60 Compact & Complex Module
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參數(shù)描述
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FMM6G30US60 功能描述:IGBT 模塊 RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
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