參數(shù)資料
型號(hào): FMM5826X
廠商: SUMITOMO ELECTRIC DEVICE INNOVATIONS, INC.
英文描述: Ka-Band Power Amplifier MMIC
中文描述: Ka波段單片功率放大器
文件頁(yè)數(shù): 6/13頁(yè)
文件大?。?/td> 417K
代理商: FMM5826X
6
@IDD(DC)=350mA, f=30GHz, df=+10MHz
-60
-55
-50
-45
-40
-35
-30
-25
-20
-15
-10
14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28
2-Tone Total Output Power [dBm]
I
VDD=4V
5V
6V
7V
@IDD(DC)=350mA, f=29GHz, df=+10MHz
-60
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2-Tone Total Output Power [dBm]
I
VDD=4V
5V
6V
7V
@IDD(DC)=350mA, f=28GHz, df=+10MHz
-60
-55
-50
-45
-40
-35
-30
-25
-20
-15
-10
14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28
2-Tone Total Output Power [dBm]
I
VDD=4V
5V
6V
7V
@IDD(DC)=350mA, f=27GHz, df=+10MHz
-60
-55
-50
-45
-40
-35
-30
-25
-20
-15
-10
14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28
2-Tone Total Output Power [dBm]
I
VDD=4V
5V
6V
7V
IMD vs. Output Power
by Drain Voltage
Ka-Band Power Amplifier MMIC
FMM5826X
IMD vs. Output Power
by Drain Voltage
IMD vs. Output Power
by Drain Voltage
IMD vs. Output Power
by Drain Voltage
IM3
IM5
IM3
IM5
IM3
IM5
IM3
IM5
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FMM5829X K-Band Power Amplifier MMIC
FMM6G30US60 Compact & Complex Module
FMM6G50US60 Compact & Complex Module
FMM7G30US60N Compact & Complex Module
FMMD2838 SOT23 SILICON PLANAR HIGH SPEED SWITCHING COMMON CATHODE DIODE PAIR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FMM5829X 制造商:EUDYNA 制造商全稱(chēng):Eudyna Devices Inc 功能描述:K-Band Power Amplifier MMIC
FMM60-02TF 功能描述:MOSFET PHASE LEG MOSFET MOD HALF-BRIDGE 33V 33A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FMM65-015P 功能描述:分立半導(dǎo)體模塊 65 Amps 150V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:Thyristor Power Modules 類(lèi)型:Phase Controls 安裝風(fēng)格:Screw 封裝 / 箱體:DT61 封裝:
FMM6G20US60 功能描述:IGBT 模塊 RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FMM6G20US60S 功能描述:IGBT 模塊 RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: