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參數(shù)資料
| 型號： | FMM5826X |
| 廠商： | SUMITOMO ELECTRIC DEVICE INNOVATIONS, INC. |
| 英文描述： | Ka-Band Power Amplifier MMIC |
| 中文描述： | Ka波段單片功率放大器 |
| 文件頁數(shù)： | 3/13頁 |
| 文件大?。?/td> | 417K |
| 代理商： | FMM5826X |
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@VDD=6V
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Drain Current [mA]
P
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f=27GHz
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@VDD=6V, IDD(DC)=350mA, df=+10MHz
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2-Tone Total Output Power [dBm]
I
27GHz
28Ghz
29GHz
30GHz
IMD vs. Output Power
IMD vs. Frequency
Ka-Band Power Amplifier MMIC
FMM5826X
Output Power, Gain vs. Drain Voltage
Output Power, Gain vs. Drain Current
@IDD(DC)=350mA
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17
19
21
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Drain Voltage [V]
P
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G
f=27GHz
28GHz
29GHz
30GHz
IM3
IM5
@VDD=6V, IDD(DC)=350mA,
Po=17dBm S.C.L. df=+10MHz
-60
-55
-50
-45
-40
-35
-30
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Frequency [Ghz]
I
IM3
IM5
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FMM5829X | K-Band Power Amplifier MMIC |
| FMM6G30US60 | Compact & Complex Module |
| FMM6G50US60 | Compact & Complex Module |
| FMM7G30US60N | Compact & Complex Module |
| FMMD2838 | SOT23 SILICON PLANAR HIGH SPEED SWITCHING COMMON CATHODE DIODE PAIR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| FMM5829X | 制造商:EUDYNA 制造商全稱:Eudyna Devices Inc 功能描述:K-Band Power Amplifier MMIC |
| FMM60-02TF | 功能描述:MOSFET PHASE LEG MOSFET MOD HALF-BRIDGE 33V 33A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FMM65-015P | 功能描述:分立半導(dǎo)體模塊 65 Amps 150V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:Thyristor Power Modules 類型:Phase Controls 安裝風(fēng)格:Screw 封裝 / 箱體:DT61 封裝: |
| FMM6G20US60 | 功能描述:IGBT 模塊 RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| FMM6G20US60S | 功能描述:IGBT 模塊 RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
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