參數資料
型號： FMBA14
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： NPN Multi-Chip Darlington Transistor
中文描述： 1200 mA, 30 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： SUPERSOT-6
文件頁數： 1/3頁
文件大?。?/td> 48K
代理商： FMBA14
F
NPN Multi-Chip Darlington Transistor
This device is designed for applications requiring extremely high current
gain at collector currents to 1.0 A. Sourced from Process 05.
Symbol
Parameter
Value
Units
V
CES
V
CBO
V
EBO
I
C
T
J
, T
stg
*
These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.
Collector-Emitter Voltage
Collector-Base Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current - Continuous
Operating and Storage Junction Temperature Range
30
30
10
1.2
V
V
V
A
°
C
-55 to +150
NOTES
:
1)
These ratings are based on a maximum junction temperature of 150 degrees C.
2)
These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.
Discrete POWE R & Signal
Technologies
FMBA14
Absolute Maximum Ratings*
T
A
= 25°C unless otherwise noted
1998 Fairchild Semiconductor Corporation
Thermal Characteristics
T
A
= 25°C unless otherwise noted
Symbol
Characteristic
Max
Units
FMBA14
700
5.6
180
P
D
Total Device Dissipation
Derate above 25
°
C
Thermal Resistance, Junction to Ambient
mW
mW/
°
C
°
C/W
R
θ
JA
SuperSOT
-6
Mark: .1N
C1
E1
C2
B1
E2
B2
pin #1
相關PDF資料
PDF描述
FMBA56 PNP Multi-Chip General Purpose Amplifier
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參數描述
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