參數(shù)資料
型號(hào)： FDS6675
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： Single P-Channel, Logic Level, PowerTrenchTM MOSFET
中文描述： 11000 mA, 30 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： SO-8
文件頁(yè)數(shù)： 4/5頁(yè)
文件大?。?/td> 115K
代理商： FDS6675
FDS6675 Rev.C1
Typical Electrical Characteristics
(continued)
Figure 10. Single Pulse Maximum Power
Dissipation.
Figure 8. Capacitance Characteristics.
Figure 7. Gate Charge Characteristics.
Figure 9. Maximum Safe Operating Area
.
Figure 11. Transient Thermal Response Curve.
Thermal characterization performed using the conditions described in Note 1c.
Transient thermal response will change depending on the circuit board design.
0
12
24
36
48
60
0
2
4
6
8
10
Q , GATE CHARGE (nC)
-
G
I = -11A
V = -5V
-10V
-15V
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
20
30
100
200
500
1000
2000
4000
6000
- V , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
C
C ss
f = 1 MHz
V = 0 V
C ss
C ss
0.05
0.1
0.3
1
3
10
30
50
0.01
0.05
0.5
3
10
30
100
- V , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
-
RDS(ON) LIMIT
D
DC
10s
1s
V = -10V
SINGLE PULSE
R = 125° C/W
T = 25° C
10ms
1ms
100us
0
0.01
0.1
1
10
100
300
10
20
30
40
50
SINGLE PULSE TIME (SEC)
P
SINGLE PULSE
R =125°C/W
T = 25°C
JA
0.0001
0.001
0.01
0.1
t , TIME (sec)
1
10
100
300
0.001
0.002
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1
T
r
Single Pulse
D = 0.5
0.1
0.05
0.02
0.01
0.2
Duty Cycle, D = t /t
2
R (t) = r(t) * R
R = 125°C/W
T - T = P * R JA
P(pk)
t
1
t
2
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