參數(shù)資料
型號(hào)： FD1500CV-90DA
廠商： Mitsubishi Electric Corporation
英文描述： HIGH POWER, HIGH FREQUENCY PRESS PACK TYPE
中文描述： 高功率，高頻率新聞袋型
文件頁(yè)數(shù)： 2/2頁(yè)
文件大?。?/td> 39K
代理商： FD1500CV-90DA
Jul. 2002
PRELIMINARY
Some parametric limits are subject to change.
MITSUBISHI SOFT RECOVERY DIODE
FD1500CV-90DA
HIGH POWER, HIGH FREQUENCY
PRESS PACK TYPE
Fig. 1 Reverse recovery test circuit
Fig. 2 Reverse recovery waveform
PERFORMANCE CURVES
L(load)
TUD
GCT
CDi
Cc
Lc
V
R
ANL
0
90%I
RM
di/dt(0
~
50%I
RM
)
V
RM
trr
I
T
50%I
RM
50%I
T
Q
RR
=(trr
×
I
RM
)/2
V
R
TIME (S)
0.002
0.001
0.000
0.005
0.003
0.008
0.007
0.006
0.010
0.009
I
F
(
V
FM
(V)
MAXIMUM ON STATE CHARACTERISTIC
10
4
7
5
3
2
1
0
2
3
4
5
6
7
10
3
7
5
3
2
10
2
7
5
3
2
10
1
TYPICAL : T
j
=125
°
C
0
Erec VS I
F
(TYPICAL)
I
F
(A)
E
500
1000
1500
2000
0
2500
1
2
3
4
5
7
6
9
8
CONDITION
V
R
= 2250V, T
j
=125
°
C
d
i
/d
t
= 1000A/
μ
s
Cc = 6
μ
F, Lc = 0.3
μ
H
10
-2
10
-1
10
0
10
0
2 3 5 710
1
2 3 5 7
2 3 5 7
2 3 5 7
10
-3
0.004
MAXIMUM THERMAL IMPEDANCE
CHARACTERISTIC
(JUNCTION TO FIN)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FD2000DU-120 HIGH POWER, HIGH FREQUENCY, PRESS PACK TYPE
FD2000DU-120 HIGH POWER, HIGH FREQUENCY, PRESS PACK TYPE
FD200R12KE3 Technische Information / technical information
FD3000AU-120DA HIGH POWER, HIGH FREQUENCY PRESS PACK TYPE
FD300R12KE3 Technische Information / technical information
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FD1500W 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Large Area InGaAs PIN Photodiodes diameter of active area=1.5 mm
FD1505 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Synchronous Step-Down MOSFET Driver
FD150R12KF-K 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 150A I(C) | M:HL093HW048
FD150R12RT4 功能描述:IGBT 晶體管 IGBT 1200V 150A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
FD1531-3 制造商:BACO Controls Inc 功能描述:
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