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EPC2025

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • EPC2025ENGR
    EPC2025ENGR

    EPC2025ENGR

  • 林沃田信息技術(shù)(深圳)有限公司
    林沃田信息技術(shù)(深圳)有限公司

    聯(lián)系人:岳先生 田小姐

    電話:0755-8278116013760181591

    地址:深圳市福田區(qū)福田街道福南社區(qū)深南中路 3037號南光捷佳大廈2906

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 60510

  • EPC

  • TRANS GAN 300V 4A BU

  • 22+

  • -
  • EPC2025ENGR
    EPC2025ENGR

    EPC2025ENGR

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人:雷春艷

    電話:19129493934(手機(jī)優(yōu)先微信同號)0755-83266697

    地址:深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 850

  • EPC

  • 托盤

  • 1521+

  • -
  • 全新原裝現(xiàn)貨

  • 1/1頁 40條/頁 共40條 
  • 1
EPC2025 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • TRANS GAN 300V 150MO BUMPED DIE
  • 制造商
  • epc
  • 系列
  • eGaN?
  • 包裝
  • 剪切帶(CT)
  • 零件狀態(tài)
  • 有效
  • FET 類型
  • GaNFET N 通道,氮化鎵
  • FET 功能
  • 標(biāo)準(zhǔn)
  • 漏源極電壓(Vdss)
  • 300V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時)
  • 4A(Ta)
  • 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值)
  • 150 毫歐 @ 3A,5V
  • 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)
  • 2.5V @ 1mA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg)
  • -
  • 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)
  • 194pF @ 240V
  • 功率 - 最大值
  • -
  • 工作溫度
  • -40°C ~ 150°C(TJ)
  • 安裝類型
  • 表面貼裝
  • 封裝/外殼
  • 模具
  • 供應(yīng)商器件封裝
  • 模具
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 1
EPC2025 技術(shù)參數(shù)
  • EPC2024ENGR 功能描述:TRANS GAN 40V 60A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:GaNFET N 通道,氮化鎵 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):40V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):60A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):1.5 毫歐 @ 37A,5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 19mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):19nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):2100pF @ 20V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:模具 供應(yīng)商器件封裝:模具 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 EPC2024ENG 功能描述:TRANS GAN 40V 60A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:托盤 零件狀態(tài):有效 FET 類型:GaNFET N 通道,氮化鎵 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):40V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):60A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):1.5 毫歐 @ 37A,5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 19mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):19nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):2100pF @ 20V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:模具 供應(yīng)商器件封裝:模具 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 EPC2024 功能描述:TRANS GAN 40V 60A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:GaNFET N 通道,氮化鎵 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):40V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):60A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):1.5 毫歐 @ 37A,5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 19mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):2100pF @ 20V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:模具 供應(yīng)商器件封裝:模具 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 EPC2023ENGR 功能描述:TRANS GAN 30V 60A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:GaNFET N 通道,氮化鎵 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):60A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):1.3 毫歐 @ 40A,5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 20mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):20nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):2300pF @ 15V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:模具 供應(yīng)商器件封裝:模具 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 EPC2023ENG 功能描述:TRANS GAN 30V 60A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:托盤 零件狀態(tài):有效 FET 類型:GaNFET N 通道,氮化鎵 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):60A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):1.3 毫歐 @ 40A,5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 20mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):20nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):2300pF @ 15V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:模具 供應(yīng)商器件封裝:模具 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 EPC2031ENGRT EPC2032 EPC2032ENGR EPC2032ENGRT EPC2033 EPC2033ENGR EPC2033ENGRT EPC2034 EPC2034ENGR EPC2034ENGRT EPC2035 EPC2036 EPC2036ENGRT EPC2037 EPC2037ENGR EPC2038 EPC2038ENGR EPC2039
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