分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 SIS406DN-T1-GE3品牌、價格、PDF參數(shù)

SIS406DN-T1-GE3 • 品牌、價格
元器件型號 廠商 描述 數(shù)量 價格
SIS406DN-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH D-S 30V 1212-8 PPAK 6,176 1:$0.90000
25:$0.69720
100:$0.61500
250:$0.53300
500:$0.45100
1,000:$0.35875
SIS406DN-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH D-S 30V 1212-8 PPAK 3,000 3,000:$0.29725
6,000:$0.27675
15,000:$0.26650
30,000:$0.25625
75,000:$0.25215
150,000:$0.24600
SI4487DY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 30V 8-SOIC 4,529 1:$0.88000
25:$0.68000
100:$0.60000
250:$0.52000
500:$0.44000
1,000:$0.35000
SIS406DN-T1-GE3 • PDF參數(shù)
類別: 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
FET 型: MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點: 標準
漏極至源極電壓(Vdss): 30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 9A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 11 毫歐 @ 12A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）: 3V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 28nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 1100pF @ 15V
功率 - 最大: 1.5W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: PowerPAK? 1212-8
供應(yīng)商設(shè)備封裝: PowerPAK? 1212-8
包裝: 剪切帶 (CT)