分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 IPB036N12N3 G品牌、價(jià)格、PDF參數(shù)

IPB036N12N3 G • 品牌、價(jià)格
元器件型號(hào) 廠商 描述 數(shù)量 價(jià)格
IPB036N12N3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 120V 180A TO263-7 1,000 1,000:$3.37806
2,000:$3.20916
5,000:$3.07645
10,000:$2.99200
25,000:$2.89548
IPB036N12N3 G • PDF參數(shù)
類別: 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
FET 型: MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓(Vdss): 120V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 180A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 3.6 毫歐 @ 100A，10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）: 4V @ 270µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 211nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 13800pF @ 60V
功率 - 最大: 300W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: TO-263-7，D²Pak（6 引線+接片），TO-263CB
供應(yīng)商設(shè)備封裝: PG-TO263-7
包裝: 帶卷 (TR)