分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 SI4487DY-T1-GE3品牌、價(jià)格、PDF參數(shù)

SI4487DY-T1-GE3 • 品牌、價(jià)格
元器件型號(hào) 廠商 描述 數(shù)量 價(jià)格
SI4487DY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 30V 8-SOIC 4,529 1:$0.88000
25:$0.68000
100:$0.60000
250:$0.52000
500:$0.44000
1,000:$0.35000
SI4487DY-T1-GE3 • PDF參數(shù)
類別: 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
FET 型: MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 邏輯電平門(mén)
漏極至源極電壓(Vdss): 30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 11.6A
開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 20.5 毫歐 @ 10A,10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): 2.5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 36nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 1075pF @ 15V
功率 - 最大: 5W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應(yīng)商設(shè)備封裝: 8-SOICN
包裝: Digi-Reel®