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參數(shù)資料
| 型號： | DS2045W |
| 廠商： | Maxim Integrated Products, Inc. |
| 英文描述： | 3.3V Single-Piece 1Mb Nonvolatile SRAM |
| 中文描述： | 3.3V、單芯片、1Mb非易失SRAM |
| 文件頁數(shù)： | 3/12頁 |
| 文件大小： | 207K |
| 代理商： | DS2045W |
D
DS2045W 3.3V Single-Piece 1Mb
Nonvolatile SRAM
_____________________________________________________________________
3
POWER-DOWN/POWER-UP TIMING
(T
A
= -40
°
C to +85
°
C)
PARAMETER
SYMBOL
CONDITIONS
MIN
TYP
MAX
1.5
UNITS
μs
μs
μs
ms
ms
μs
ms
V
CC
Fail Detect to
CE
and
WE
Inactive
V
CC
Slew from V
TP
to 0V
V
CC
Slew from 0V to V
TP
V
CC
Valid to
CE
and
WE
Inactive
V
CC
Valid to End of Write Protection
V
CC
Fail Detect to
RST
Active
V
CC
Valid to
RST
Inactive
t
PD
t
F
t
R
t
PU
t
REC
t
RPD
t
RPU
(Note 7)
150
150
2
125
3.0
525
(Note 1)
(Note 1)
225
350
DATA RETENTION
(T
A
= +25
°
C)
PARAMETER
SYMBOL
CONDITIONS
MIN
2
TYP
3
MAX
UNITS
years
Expected Data-Retention Time (Per Charge)
t
DR
(Note 8)
AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(V
CC
= 3.3V ±0.3V, T
A
= -40
°
C to +85
°
C.)
DS2045W-100
MIN
100
PARAMETER
SYMBOL
CONDITIONS
MAX
UNITS
Read Cycle Time
Access Time
OE
to Output Valid
CE
to Output Valid
OE
or
CE
to Output Active
t
RC
t
ACC
t
OE
t
CO
t
COE
t
OD
ns
ns
ns
ns
ns
100
50
100
(Note 2)
5
Output High Impedance from
Deselection
(Note 2)
35
ns
Output Hold from Address Change
Write Cycle Time
Write Pulse Width
Address Setup Time
t
OH
t
WC
t
WP
t
AW
t
WR1
t
WR2
t
ODW
t
OEW
t
DS
t
DH1
t
DH2
5
ns
ns
ns
ns
100
75
0
5
20
(Note 3)
(Note 4)
(Note 5)
(Note 2)
(Note 2)
(Note 6)
(Note 4)
(Note 5)
Write Recovery Time
ns
Output High Impedance from
WE
Output Active from
WE
Data Setup Time
35
ns
ns
ns
5
40
0
20
Data Hold Time
ns
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DS2045W-100 | 3.3V Single-Piece 1Mb Nonvolatile SRAM |
| DS2151Q | T1 Single-Chip Transceiver(T1單片收發(fā)器) |
| DS2154 | Enhanced E1 Single Chip Transceiver(改進(jìn)型E1單片收發(fā)器) |
| DS2164Q | G.726 ADPCM Processor(G.726自適應(yīng)音頻脈沖編碼處理器) |
| DS2175 | T1/CEPT Elastic Store(T1/CEPT 彈性存儲器) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| DS2045W-100 | 功能描述:NVRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問時間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube |
| DS2045W-100# | 功能描述:NVRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問時間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube |
| DS2045Y | 制造商:DALLAS 制造商全稱:Dallas Semiconductor 功能描述:Single-Piece 1Mb Nonvolatile SRAM |
| DS2045Y-100 | 功能描述:NVRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問時間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube |
| DS2045Y-100# | 功能描述:NVRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問時間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube |
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