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參數資料
| 型號： | DL110 |
| 英文描述： | Wireless RF Product Device Data |
| 中文描述： | 無線射頻產品設備數據 |
| 文件頁數： | 642/882頁 |
| 文件大小： | 21939K |
| 代理商： | DL110 |
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5–429
MRF5P21180
MOTOROLA WIRELESS
RF PRODUCT DEVICE DATA
The RF Sub–Micron MOSFET Line
N–Channel Enhancement–Mode Lateral MOSFET
Designed for W–CDMA base station applications with frequencies from 2110
to 2170 MHz. Suitable for TDMA, CDMA and multicarrier amplifier applications.
To be used in Class AB for PCN–PCS/cellular radio and WLL applications.
Typical 2–carrier W–CDMA Performance for V
DD
= 28 Volts,
I
DQ
= 2 x 800 mA, f1 = 2135 MHz, f2 = 2145 MHz,
Channel Bandwidth = 3.84 MHz, Adjacent Channels Measured over
3.84 MHz BW @ f1
– 5
MHz
and
f2 + 5 MHz. Distortion Products
Measured over a 3.84 MHz BW @ f1
– 10 MHz and
f2 + 10 MHz,
Each Carrier Peak/Avg. = 8.5 dB @ 0.01% Probability on CCDF.
Output Power — 38 Watts Avg.
Power Gain — 14 dB
Efficiency — 25.5%
IM3 — 37.5 dBc
ACPR — –41 dBc
Internally Matched, Controlled Q, for Ease of Use
High Gain, High Efficiency and High Linearity
Integrated ESD Protection
Designed for Maximum Gain and Insertion Phase Flatness
Capable of Handling 10:1 VSWR, @ 28 Vdc, 2140 MHz, 180 Watts CW
Output Power
Excellent Thermal Stability
Characterized with Series Equivalent Large–Signal Impedance Parameters
Qualified Up to a Maximum of 32 V
DD
Operation
MAXIMUM RATINGS
Rating
Symbol
Value
Unit
Drain–Source Voltage
V
DSS
65
Vdc
Gate–Source Voltage
V
GS
–0.5, +15
Vdc
Total Device Dissipation @ T
C
= 25
°
C
Derate above 25
°
C
P
D
437.5
2.5
Watts
W/
°
C
Storage Temperature Range
T
stg
–65 to +150
°
C
Operating Junction Temperature
T
J
200
°
C
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
Max
Unit
Thermal Resistance, Junction to Case
Case Temperature 80
°
C, 180 W CW
Case Temperature 80
°
C, 38 W CW
R
θ
JC
0.40
0.40
°
C/W
NOTE –
CAUTION
– MOS devices are susceptible to damage from electrostatic charge. Reasonable precautions in handling and
packaging MOS devices should be observed.
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
!"
2170 MHz, 38 W AVG.,
2 x W–CDMA, 28 V
LATERAL N–CHANNEL
RF POWER MOSFET
CASE 375D–04, STYLE 1
NI–1230
REV 1
F
Freescale Semiconductor, Inc.
For More Information On This Product,
Go to: www.freescale.com
n
.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DL201 | SILICON RECTIFIER DIODES |
| DL202 | SILICON RECTIFIER DIODES |
| DL203 | SILICON RECTIFIER DIODES |
| DL204 | SILICON RECTIFIER DIODES |
| DL205 | SILICON RECTIFIER DIODES |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| DL-1100L | 制造商:Stellar Labs Power 功能描述:Dell Inspiron Replacement Laptop Battery |
| DL110238-0481 | 制造商:ITT Interconnect Solutions 功能描述:DL CONT CRIMP 18-20 50AU 10K R |
| DL110238-401 | 制造商:ITT Interconnect Solutions 功能描述:Contact Magazine Assembly, DL Crimp 制造商:ITT Interconnect Solutions 功能描述:DL110238-401 / 110238-0401 / DL |
| DL110238-403 | 制造商:ITT Interconnect Solutions 功能描述:DL110238-403 / 110238-0403 / DL |
| DL110238-479 | 制造商:ITT Interconnect Solutions 功能描述:DL110238-479 / 110238-0479 / DL |
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