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參數(shù)資料
| 型號： | DL110 |
| 英文描述： | Wireless RF Product Device Data |
| 中文描述： | 無線射頻產(chǎn)品設備數(shù)據(jù) |
| 文件頁數(shù)： | 243/882頁 |
| 文件大?。?/td> | 21939K |
| 代理商： | DL110 |
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MRF282SR1 MRF282ZR1
5–30
MOTOROLA WIRELESS
RF PRODUCT DEVICE DATA
The RF Sub–Micron MOSFET Line
N–Channel Enhancement–Mode Lateral MOSFETs
Designed for Class A and Class AB PCN and PCS base station applications
with frequencies up to 2600 MHz. Suitable for FM, TDMA, CDMA, and
multicarrier amplifier applications.
Specified Two–Tone Performance @ 2000 MHz, 26 Volts
Output Power — 10 Watts PEP
Power Gain — 10.5 dB
Efficiency — 28%
Intermodulation Distortion — –31 dBc
Specified Single–Tone Performance @ 2000 MHz, 26 Volts
Output Power — 10 Watts CW
Power Gain — 9.5 dB
Efficiency — 35%
Capable of Handling 10:1 VSWR, @ 26 Vdc,
2000 MHz, 10 Watts CW Output Power
Excellent Thermal Stability
Characterized with Series Equivalent Large–Signal
Impedance Parameters
Available in Tape and Reel. R1 Suffix = 500 Units per 12 mm, 7 inch Reel.
MAXIMUM RATINGS
Rating
Symbol
Value
Unit
Drain–Source Voltage
V
DSS
65
Vdc
Gate–Source Voltage
V
GS
±
20
Vdc
Total Device Dissipation @ T
C
= 25
°
C
Derate above 25
°
C
P
D
60
0.34
Watts
W/
°
C
Storage Temperature Range
T
stg
–65 to +150
°
C
Operating Junction Temperature
T
J
200
°
C
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
Max
Unit
Thermal Resistance, Junction to Case
R
θ
JC
4.2
°
C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
C
= 25
°
C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Drain–Source Breakdown Voltage
(V
GS
= 0, I
D
= 10
μ
Adc)
V
(BR)DSS
65
—
—
Vdc
Zero Gate Voltage Drain Current
(V
DS
= 28 Vdc, V
GS
= 0)
I
DSS
—
—
1.0
μ
Adc
Gate–Source Leakage Current
(V
GS
= 20 Vdc, V
DS
= 0)
I
GSS
—
—
1.0
μ
Adc
NOTE –
CAUTION
– MOS devices are susceptible to damage from electrostatic charge. Reasonable precautions in handling and
packaging MOS devices should be observed.
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
2000 MHz, 10 W, 26 V
LATERAL N–CHANNEL
BROADBAND
RF POWER MOSFETs
CASE 458B–03, STYLE 1
(NI–200S)
(MRF282SR1)
CASE 458C–03, STYLE 1
(NI–200Z)
(MRF282ZR1)
REV 12
F
Freescale Semiconductor, Inc.
For More Information On This Product,
Go to: www.freescale.com
n
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相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DL201 | SILICON RECTIFIER DIODES |
| DL202 | SILICON RECTIFIER DIODES |
| DL203 | SILICON RECTIFIER DIODES |
| DL204 | SILICON RECTIFIER DIODES |
| DL205 | SILICON RECTIFIER DIODES |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| DL110238-401 | 制造商:ITT Interconnect Solutions 功能描述:Contact Magazine Assembly, DL Crimp 制造商:ITT Interconnect Solutions 功能描述:DL110238-401 / 110238-0401 / DL |
| DL110238-403 | 制造商:ITT Interconnect Solutions 功能描述:DL110238-403 / 110238-0403 / DL |
| DL110238-479 | 制造商:ITT Interconnect Solutions 功能描述:DL110238-479 / 110238-0479 / DL |
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