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參數(shù)資料
| 型號： | DA28F016XS15 |
| 廠商： | Intel Corp. |
| 英文描述： | 16-MBIT (1 MBIT x 16, 2 MBIT x 8) SYNCHRONOUS FLASH MEMORY |
| 中文描述： | 16兆位（1兆比特× 16，2兆比特× 8）同步閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 46/63頁 |
| 文件大?。?/td> | 635K |
| 代理商： | DA28F016XS15 |
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28F016SV FlashFile MEMORY
E
46
5.8
AC Characteristics for WE#
—Controlled Command Write Operations
(1)
(Continued)
V
CC
= 5V
± 0.5V, 5V ± 0.25V, T
A
= 0°C to +70°C, –40°C to +85°C
Temp
Commercial
Extended
Speed
–65
–70
–80
Sym
Parameter
V
CC
5V ± 5%
5V ± 10%
5V ± 10%
Unit
Load
30 pF
50 pF
50 pF
Notes
Min
Typ
Max
Min
Typ
Max
Min
Typ
Max
t
AVAV
Write Cycle Time
65
70
80
ns
t
VPWH
1
t
VPWH
2
t
PHEL
V
PP
Setup to WE#
Going High
3
100
100
100
ns
RP# Setup to CE#
Going Low
3,7
300
480
(9)
300
(10)
480
ns
t
ELWL
CE# Setup to WE#
Going Low
3,7
0
0
0
ns
t
AVWH
Address Setup to
WE# Going High
2,6
40
50
(9)
40
(10)
50
ns
t
DVWH
Data Setup to
WE# Going High
2,6
40
50
(9)
40
(10)
50
ns
t
WLWH
WE# Pulse Width
40
40
(9)
45
(10)
50
ns
t
WHDX
Data Hold from
WE# High
2
0
0
0
ns
t
WHAX
Address Hold from
WE# High
2
5
10
10
ns
t
WHEH
CE# Hold from
WE# High
3,7
5
10
(9)
5
(10)
10
ns
t
WHWL
WE# Pulse Width
High
15
30
(9)
15
(10)
30
ns
t
GHWL
Read Recovery
before Write
3
0
0
0
ns
t
WHRL
WE# High to
RY/BY# Going
Low
3
100
100
100
ns
t
RHPL
RP# Hold from
Valid Status
Register (CSR,
GSR, BSR) Data
and RY/BY# High
3
0
0
0
ns
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PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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