參數(shù)資料
型號： CYDM064B16
廠商： Cypress Semiconductor Corp.
英文描述： 1.8V 4K/8K/16K x 16 MoBL㈢ Dual-Port Static RAM
中文描述： 1.8 4K/8K/16K㈢× 16的MoBL雙端口靜態(tài)存儲器
文件頁數(shù)： 10/25頁
文件大小： 583K
代理商： CYDM064B16
CYDM256B16
CYDM128B16
CYDM064B16
Document #: 001-00217 Rev. *E
Page 10 of 25
Electrical Characteristics for V
CC
= 2.5V
Over the Operating Range
Parameter
V
OH
Description
CYDM256B16,
CYDM128B16,
CYDM064B16
-40
CYDM256B16,
CYDM128B16,
CYDM064B16
-55
Unit
V
V
V
V
V
V
V
P1 I/O
Voltage
2.5V (any port)
3.0V (any port)
2.5V (any port)
3.0V (any port)
2.5V (any port)
3.0V (any port)
2.5V (any port)
P2 I/O
Voltage
Min.
2.0
2.1
Typ.
Max.
Min.
2.0
2.1
Typ.
Max.
Output HIGH Voltage (I
OH
= –2 mA)
V
OL
Output LOW Voltage (I
OL
= 2 mA
)
0.4
0.4
0.2
0.2
V
DDIO
+ 0.3
V
DDIO
+ 0.2
0.6
0.7
1
1
1
1
1
1
55
0.4
0.4
0.2
0.2
V
DDIO
+ 0.3
V
DDIO
+ 0.2
0.6
0.7
1
1
1
1
1
1
40
V
OL
ODR
ODR Output LOW Voltage (I
OL
= 8 mA
)
V
IH
Input HIGH Voltage
1.7
1.7
3.0V (any port)
2.0
2.0
V
V
IL
Input LOW Voltage
2.5V (any port)
3.0V (any port)
2.5V
3.0V
2.5V
3.0V
2.5V
3.0V
2.5V
–0.3
–0.2
–1
–1
–1
–1
–1
–1
–0.3
–0.2
–1
–1
–1
–1
–1
–1
V
V
μ
A
μ
A
μ
A
μ
A
μ
A
μ
A
mA
I
OZ
Output Leakage Current
2.5V
3.0V
2.5V
3.0V
2.5V
3.0V
2.5V
I
CEX
ODR
ODR Output Leakage Current.
V
OUT
= V
CC
I
IX
Input Leakage Current
I
CC
Operating Current (V
CC
= Max.,
I
OUT
= 0 mA) Outputs Disabled
Standby Current (Both Ports TTL
Level) CE
L
and CE
R
≥
V
CC
– 0.2,
SEM
L
= SEM
R
= V
CC
– 0.2, f = f
MAX
Standby Current (One Port TTL
Level) CE
L
| CE
R
≥
V
IH
, f = f
MAX
Standby Current (Both Ports
CMOS Level) CE
L
& CE
R
≥
V
CC
0.2V, SEM
L
and SEM
R
>
V
CC
– 0.2V, f = 0
Standby Current (One Port CMOS
Level) CE
L
| CE
R
≥
V
IH
, f = f
MAX[21]
Ind.
Ind.
39
28
I
SB1
Ind.
2.5V
2.5V
6
8
6
8
μ
A
I
SB2
Ind.
2.5V
2.5V
21
30
18
25
mA
I
SB3
Ind.
2.5V
2.5V
4
6
4
6
μ
A
I
SB4
2.5V
2.5V
21
30
18
25
mA
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