參數(shù)資料
型號： CY7C1473V25
廠商： Cypress Semiconductor Corp.
英文描述： 72-Mbit (2M x 36/4M x 18/1M x 72) Flow-Through SRAM with NoBL Architecture(帶NoBL結(jié)構(gòu)的72-Mbit (2M x 36/4M x 18/1M x 72) Flow-Through SRAM)
中文描述： 72兆位（2米x 36/4M x 18/1M × 72）流體系結(jié)構(gòu)，通過與總線延遲（帶總線延遲結(jié)構(gòu)的72兆位通過的SRAM（2米x 36/4M x 18/1M × 72）流的SRAM）
文件頁數(shù)： 24/32頁
文件大小： 1134K
代理商： CY7C1473V25
CY7C1471V25
CY7C1473V25
CY7C1475V25
Document #: 38-05287 Rev. *I
Page 24 of 32
Switching Waveforms
Figure 1
shows read-write timing waveform.
[19, 20, 21]
Figure 1. Read/Write Timing
WRITE
D(A1)
1
2
3
4
5
6
7
8
9
CLK
tCYC
tCL
tCH
10
CE
tCEH
tCES
WE
CEN
tCENH
tCENS
BW
X
ADV/LD
tAH
tAS
ADDRESS
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
tDH
tDS
DQ
COMMAND
tCLZ
D(A1)
D(A2)
Q(A4)
Q(A3)
D(A2+1)
tDOH
tCHZ
tCDV
WRITE
D(A2)
BURST
WRITE
D(A2+1)
READ
Q(A3)
READ
Q(A4)
BURST
READ
Q(A4+1)
WRITE
D(A5)
READ
Q(A6)
WRITE
D(A7)
DESELECT
OE
tOEV
tOELZ
tOEHZ
DON’T CARE
UNDEFINED
D(A5)
tDOH
Q(A4+1)
D(A7)
Q(A6)
Notes
19.For this waveform ZZ is tied LOW.
20.When CE is LOW, CE
is LOW, CE
is HIGH, and CE
is LOW. When CE is HIGH, CE
is HIGH, CE
is LOW or CE
is HIGH.
21.Order of the Burst sequence is determined by the status of the MODE (0 = Linear, 1 = Interleaved). Burst operations are optional.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CY7C1475V33 72-Mbit (2M x 36/4M x 18/1M x 72) Flow-Through SRAM with NoBL Architecture(帶NoBL結(jié)構(gòu)的72-Mbit (2M x 36/4M x 18/1M x 72) Flow-Through SRAM)
CY7C1471V33 72-Mbit (2M x 36/4M x 18/1M x 72) Flow-Through SRAM with NoBL Architecture(帶NoBL結(jié)構(gòu)的72-Mbit (2M x 36/4M x 18/1M x 72) Flow-Through SRAM)
CY7C1482V25-200BZXC 72-Mbit (2M x 36/4M x 18/1M x 72) Pipelined Sync SRAM
CY7C1480V25-200BZC 72-Mbit (2M x 36/4M x 18/1M x 72) Pipelined Sync SRAM
CY7C1480V25-200BZI 72-Mbit (2M x 36/4M x 18/1M x 72) Pipelined Sync SRAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
CY7C1474BV25-167BGC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 1Mx72, 2.5V NoBL PL RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1474BV25-167BGCT 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 1Mx72, 2.5V NoBL PL RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1474BV25-167BGI 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 1Mx72, 2.5V NoBL PL RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1474BV25-167BGIT 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 1Mx72 2.5V NoBL PL 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1474BV25-200BGC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 1Mx72, 2.5V NoBL PL RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報(bào)價(jià)

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*