參數(shù)資料
型號： CY7C1464AV33
廠商： Cypress Semiconductor Corp.
英文描述： 36-Mbit (1M x 36/2M x 18/512K x 72) Pipelined SRAM with NoBL Architecture(帶NoBL結(jié)構(gòu)的36-Mbit (1M x 36/2M x 18/512K x 72) Pipelined SRAM)
中文描述： 36兆位（1米x 36/2M x 18/512K × 72）流水線的SRAM架構(gòu)的總線延遲（帶總線延遲結(jié)構(gòu)的36兆位（1米x 36/2M x 18/512K × 72）流水線的SRAM）
文件頁數(shù)： 18/27頁
文件大?。?/td> 469K
代理商： CY7C1464AV33
CY7C1460AV33
CY7C1462AV33
CY7C1464AV33
Document #: 38-05353 Rev. *D
Page 18 of 27
Thermal Resistance
[17]
Note:
17.Tested initially and after any design or process changes that may affect these parameters.
Capacitance
[17]
Parameter
C
IN
C
CLK
C
I/O
Description
Test Conditions
T
A
= 25
°
C, f = 1 MHz,
V
DD
= 2.5V V
DDQ
= 2.5V
100 TQFP
Max.
6.5
3
5.5
165 FBGA
Max.
7
7
6
209 FBGA
Max.
5
5
7
Unit
pF
pF
pF
Input Capacitance
Clock Input Capacitance
Input/Output Capacitance
Parameters
Θ
JA
Description
Test Conditions
Test conditions follow standard
test methods and procedures
for measuring thermal
impedance, per EIA/JESD51.
100 TQFP
Package
25.21
165 FBGA
Package
20.8
209 FBGA
Package
25.31
Unit
°
C/W
Thermal Resistance
(Junction to Ambient)
Thermal Resistance
(Junction to Case)
Θ
JC
2.28
3.2
4.48
°
C/W
AC Test Loads and Waveforms
3.3V I/O Test Load
OUTPUT
R = 317
R = 351
5 pF
INCLUDING
JIG AND
SCOPE
(a)
(b)
OUTPUT
R
L
= 50
Z
0
= 50
V
T
= 1.5V
3.3V
ALL INPUT PULSES
V
DDQ
GND
90%
10%
90%
10%
≤
1 ns
≤
1 ns
(c)
OUTPUT
R = 1667
R =1538
5 pF
INCLUDING
JIG AND
SCOPE
(a)
(b)
OUTPUT
R
L
= 50
Z
0
= 50
V
T
= 1.25V
2.5V
ALL INPUT PULSES
V
DDQ
GND
90%
10%
90%
10%
≤
1 ns
≤
1 ns
(c)
2.5V I/O Test Load
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CY7C1462AV33 36-Mbit (1M x 36/2M x 18/512K x 72) Pipelined SRAM with NoBL Architecture(帶NoBL結(jié)構(gòu)的36-Mbit (1M x 36/2M x 18/512K x 72) Pipelined SRAM)
CY7C1472V33-167AXI 72-Mbit (2M x 36/4M x 18/1M x 72) Pipelined SRAM with NoBL Architecture
CY7C1472V33-167BZXI 72-Mbit (2M x 36/4M x 18/1M x 72) Pipelined SRAM with NoBL Architecture
CY7C1472V33-200AXC 72-Mbit (2M x 36/4M x 18/1M x 72) Pipelined SRAM with NoBL Architecture
CY7C1472V33-200BZC 72-Mbit (2M x 36/4M x 18/1M x 72) Pipelined SRAM with NoBL Architecture
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
CY7C1464AV33-167BGI 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 512Kx72 3.3V NoBL PL 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C146-55JC 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:SRAM Chip Async Dual 5V 16K-Bit 2K x 8 55ns 52-Pin PLCC 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:2K X 8 DUAL-PORT SRAM, 55 ns, PQCC52
CY7C146-55JCT 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:
CY7C146-55JXC 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 5V 2Kx8 COM Dual Port 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C146-55JXCT 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 5V 2Kx8 COM Dual Port 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
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