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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | CY7C1462AV33 |
| 廠商： | Cypress Semiconductor Corp. |
| 英文描述： | 36-Mbit (1M x 36/2M x 18/512K x 72) Pipelined SRAM with NoBL Architecture(帶NoBL結(jié)構(gòu)的36-Mbit (1M x 36/2M x 18/512K x 72) Pipelined SRAM) |
| 中文描述： | 36兆位（1米x 36/2M x 18/512K × 72）流水線的SRAM架構(gòu)的總線延遲（帶總線延遲結(jié)構(gòu)的36兆位（1米x 36/2M x 18/512K × 72）流水線的SRAM） |
| 文件頁數(shù)： | 9/27頁 |
| 文件大?。?/td> | 469K |
| 代理商： | CY7C1462AV33 |
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CY7C1460AV33
CY7C1462AV33
CY7C1464AV33
Document #: 38-05353 Rev. *D
Page 9 of 27
Write Cycle
(Begin Burst)
Write Cycle
(Continue Burst)
NOP/WRITE ABORT
(Begin Burst)
WRITE ABORT
(Continue Burst)
IGNORE CLOCK
EDGE
(Stall)
SLEEP MODE
Partial Write Cycle Description
[1, 2, 3, 8]
External
L
L
L
L
L
X
L
L-H
Data In (D)
Next
X
L
H
X
L
X
L
L-H
Data In (D)
None
L
L
L
L
H
X
L
L-H
Tri-State
Next
X
L
H
X
H
X
L
L-H
Tri-State
Current
X
L
X
X
X
X
H
L-H
-
None
X
H
X
X
X
X
X
X
Tri-State
Truth Table
[1, 2, 3, 4, 5, 6, 7]
(continued)
Operation
Address
Used
CE
ZZ
ADV/LD
WE
BW
x
OE
CEN
CLK
DQ
Function (CY7C1460AV33)
WE
H
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
BW
d
X
H
H
H
H
H
H
H
H
L
L
L
L
L
L
L
L
BW
c
X
H
H
H
H
L
L
LL
L
H
H
H
H
L
L
L
L
BW
b
X
H
H
L
L
H
H
L
L
H
H
L
L
H
H
L
L
BW
a
X
H
L
H
L
H
L
H
L
H
L
H
L
H
L
H
L
Read
Write – No bytes written
Write Byte a – (DQ
a
and
DQP
a
)
Write Byte b – (DQ
b
and
DQP
b
)
Write Bytes b, a
Write Byte c – (DQ
c
and
DQP
c
)
Write Bytes c, a
Write Bytes c, b
Write Bytes c, b, a
Write Byte d – (DQ
d
and
DQP
d
)
Write Bytes d, a
Write Bytes d, b
Write Bytes d, b, a
Write Bytes d, c
Write Bytes d, c, a
Write Bytes d, c, b
Write All Bytes
Function (CY7C1462AV33)
[2,8]
WE
H
L
L
L
L
BW
b
x
H
H
L
L
BW
a
x
H
L
H
L
Read
Write – No Bytes Written
Write Byte a – (DQ
a
and
DQP
a
)
Write Byte b – (DQ
b
and
DQP
b
)
Write Both Bytes
Function (CY7C1464AV33)
[2,8]
WE
H
L
L
L
BW
x
x
H
L
Read
Write – No Bytes Written
Write Byte X
(DQ
x
and
DQP
x)
Write All Bytes
All BW = L
Note:
8. Table only lists a partial listing of the byte write combinations. Any combination of BW
[a:d]
is valid. Appropriate write will be done based on which byte write is active.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CY7C1472V33-167AXI | 72-Mbit (2M x 36/4M x 18/1M x 72) Pipelined SRAM with NoBL Architecture |
| CY7C1472V33-167BZXI | 72-Mbit (2M x 36/4M x 18/1M x 72) Pipelined SRAM with NoBL Architecture |
| CY7C1472V33-200AXC | 72-Mbit (2M x 36/4M x 18/1M x 72) Pipelined SRAM with NoBL Architecture |
| CY7C1472V33-200BZC | 72-Mbit (2M x 36/4M x 18/1M x 72) Pipelined SRAM with NoBL Architecture |
| CY7C1472V33-200BZXC | 72-Mbit (2M x 36/4M x 18/1M x 72) Pipelined SRAM with NoBL Architecture |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| CY7C1462AV33-167AXC | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 2Mx18 3.3V NoBL PL 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 COM RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1462AV33-167AXCT | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 2Mx18 3.3V NoBL PL 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 COM RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1462AV33-200AXI | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 36Mb (2 M x 18) 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1462BV25-250AXC | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 36Mb (2 M x 18) 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1462BV25-250BZXC | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:SYNC - Trays 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:IC SRAM 36MBIT 250MHZ 165FBGA 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:Async Fast SRAMs |
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