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參數(shù)資料
| 型號： | CY7C1462AV33 |
| 廠商： | Cypress Semiconductor Corp. |
| 英文描述： | 36-Mbit (1M x 36/2M x 18/512K x 72) Pipelined SRAM with NoBL Architecture(帶NoBL結構的36-Mbit (1M x 36/2M x 18/512K x 72) Pipelined SRAM) |
| 中文描述： | 36兆位（1米x 36/2M x 18/512K × 72）流水線的SRAM架構的總線延遲（帶總線延遲結構的36兆位（1米x 36/2M x 18/512K × 72）流水線的SRAM） |
| 文件頁數(shù)： | 14/27頁 |
| 文件大?。?/td> | 469K |
| 代理商： | CY7C1462AV33 |
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CY7C1460AV33
CY7C1462AV33
CY7C1464AV33
Document #: 38-05353 Rev. *D
Page 14 of 27
Scan Register Sizes
Register Name
Bit Size (×36)
3
1
32
89
-
Bit Size (×18)
3
1
32
89
-
Bit Size (×72)
3
1
32
-
138
Instruction
Bypass
ID
Boundary Scan Order (165-ball FBGA package)
Boundary Scan Order (209-ball FBGA package)
Identification Codes
Instruction
EXTEST
Code
000
Description
Captures I/O ring contents. Places the boundary scan register between TDI and TDO.
Forces all SRAM outputs to High-Z state.
Loads the ID register with the vendor ID code and places the register between TDI and
TDO. This operation does not affect SRAM operations.
Captures I/O ring contents. Places the boundary scan register between TDI and TDO.
Forces all SRAM output drivers to a High-Z state.
Do Not Use: This instruction is reserved for future use.
Captures I/O ring contents. Places the boundary scan register between TDI and TDO.
Does not affect SRAM operation.
Do Not Use: This instruction is reserved for future use.
Do Not Use: This instruction is reserved for future use.
Places the bypass register between TDI and TDO. This operation does not affect SRAM
operations.
IDCODE
001
SAMPLE Z
010
RESERVED
SAMPLE/PRELOAD
011
100
RESERVED
RESERVED
BYPASS
101
110
111
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CY7C1472V33-167AXI | 72-Mbit (2M x 36/4M x 18/1M x 72) Pipelined SRAM with NoBL Architecture |
| CY7C1472V33-167BZXI | 72-Mbit (2M x 36/4M x 18/1M x 72) Pipelined SRAM with NoBL Architecture |
| CY7C1472V33-200AXC | 72-Mbit (2M x 36/4M x 18/1M x 72) Pipelined SRAM with NoBL Architecture |
| CY7C1472V33-200BZC | 72-Mbit (2M x 36/4M x 18/1M x 72) Pipelined SRAM with NoBL Architecture |
| CY7C1472V33-200BZXC | 72-Mbit (2M x 36/4M x 18/1M x 72) Pipelined SRAM with NoBL Architecture |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| CY7C1462AV33-167AXC | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 2Mx18 3.3V NoBL PL 靜態(tài)隨機存取存儲器 COM RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1462AV33-167AXCT | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 2Mx18 3.3V NoBL PL 靜態(tài)隨機存取存儲器 COM RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1462AV33-200AXI | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 36Mb (2 M x 18) 靜態(tài)隨機存取存儲器 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1462BV25-250AXC | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 36Mb (2 M x 18) 靜態(tài)隨機存取存儲器 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1462BV25-250BZXC | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:SYNC - Trays 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:IC SRAM 36MBIT 250MHZ 165FBGA 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:Async Fast SRAMs |
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