參數(shù)資料
型號(hào)： CY7C1399B-12ZC
廠商： CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： DRAM
英文描述： 32K x 8 3.3V Static RAM
中文描述： 32K X 8 CACHE SRAM, 12 ns, PDSO28
封裝： 8 X 13.40 MM, TSOP1-28
文件頁(yè)數(shù)： 5/10頁(yè)
文件大?。?/td> 151K
代理商： CY7C1399B-12ZC
CY7C1399B
Document #: 38-05071 Rev. *C
Page 5 of 10
Switching Characteristics
Over the Operating Range
[6]
(Continued)
1399B-15
Min.
1399B-20
Min.
Parameter
Read Cycle
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
DOE
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
Write Cycle
[9, 10]
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
SD
t
HD
t
HZWE
t
LZWE
Description
Max.
Max.
Unit
Read Cycle Time
Address to Data Valid
Data Hold from Address Change
CE LOW to Data Valid
OE LOW to Data Valid
OE LOW to Low Z
[7]
OE HIGH to High Z
[7, 8]
CE LOW to Low Z
[7]
CE HIGH to High Z
[7, 8]
CE LOW to Power-Up
CE HIGH to Power-Down
15
20
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
15
20
3
3
15
6
20
7
0
0
6
6
3
3
7
7
0
0
15
20
Write Cycle Time
CE LOW to Write End
Address Set-Up to Write End
Address Hold from Write End
Address Set-Up to Write Start
WE Pulse Width
Data Set-Up to Write End
Data Hold from Write End
WE LOW to High Z
[9]
WE HIGH to Low Z
[7]
15
10
10
0
0
10
8
0
20
12
12
0
0
12
10
0
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
7
7
3
3
Data Retention Characteristics
(Over the Operating Range - L version only)
Parameter
Description
Conditions
Min.
2.0
0
0
Max.
Unit
V
μ
A
ns
V
DR
I
CCDR
t
CDR
V
CC
for Data Retention
Data Retention Current
Chip Deselect to Data
Retention Time
Operation Recovery Time
Com’l
V
CC
= V
DR
= 2.0V,
CE > V
CC
– 0.3V,
V
IN
> V
CC
– 0.3V or
V
IN
< 0.3V
20
t
R
t
RC
ns
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CY7C1399B-12ZI 32K x 8 3.3V Static RAM
CY7C1399B-15VC 32K x 8 3.3V Static RAM
CY7C1399B-15VI 32K x 8 3.3V Static RAM
CY7C1399B-15ZC 32K x 8 3.3V Static RAM
CY7C1399B-15ZI 32K x 8 3.3V Static RAM
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參數(shù)描述
CY7C1399B-12ZCT 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:256K (32K X 8)- FAST ASYNCH SRAM - Bulk 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:
CY7C1399B-12ZXC 功能描述:IC SRAM 256KBIT 12NS 28TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SDRAM 存儲(chǔ)容量:256M（8Mx32） 速度:143MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA（8x13） 包裝:托盤 其它名稱:Q2841869
CY7C1399B-12ZXCT 功能描述:IC SRAM 256KBIT 12NS 28TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:移動(dòng) SDRAM 存儲(chǔ)容量:256M（8Mx32） 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.95 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA（8x13） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:557-1327-2
CY7C1399B-15VC 功能描述:IC SRAM 256KBIT 15NS 28SOJ RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:96 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:閃存 存儲(chǔ)器類型:FLASH 存儲(chǔ)容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:70ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.65 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤
CY7C1399B-15VCT 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:256K (32K X 8)- FAST ASYNCH SRAM - Bulk 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:
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