參數(shù)資料
型號： CY7C1399B-12ZC
廠商： CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： DRAM
英文描述： 32K x 8 3.3V Static RAM
中文描述： 32K X 8 CACHE SRAM, 12 ns, PDSO28
封裝： 8 X 13.40 MM, TSOP1-28
文件頁數(shù)： 2/10頁
文件大小： 151K
代理商： CY7C1399B-12ZC
CY7C1399B
Document #: 38-05071 Rev. *C
Page 2 of 10
Maximum Ratings
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Storage Temperature .................................–65
°
C to +150
°
C
Ambient Temperature with
Power Applied.............................................–55
°
C to +125
°
C
Supply Voltage on V
CC
to Relative GND
[2]
.... –0.5V to +4.6V
DC Voltage Applied to Outputs
in High Z State
[2]
....................................–0.5V to V
CC
+ 0.5V
DC Input Voltage
[2]
.................................–0.5V to V
CC
+ 0.5V
Output Current into Outputs (LOW)............................. 20 mA
Static Discharge Voltage........................................... >2001V
(per MIL-STD-883, Method 3015)
Latch-Up Current.................................................... >200 mA
Pin Configuration
22
23
24
25
26
27
28
1
2
3
4
5
6
10
9
11
15
14
13
12
16
19
18
17
Top View
TSOP
20
21
7
8
OE
A
1
A
2
A
3
A
4
WE
V
CC
5
A
6
A
7
A
8
A
9
A
10
A
11
A
0
CE
I/O
7
I/O
6
I/O
5
I/O
4
I/O
GND
I/O
2
I/O
1
I/O
0
A
14
A
13
A
12
Operating Range
Range
Ambient
Temperature
0
°
C to +70
°
C
–40
°
C to +85
°
C
V
CC
Commercial
Industrial
3.3V
±
300 mV
3.3V
±
300 mV
Electrical Characteristics
Over the Operating Range
[1]
7C1399B-10
Min.
2.4
7C1399B-12
Min.
2.4
Parameter
V
OH
V
OL
V
IH
Description
Test Conditions
V
CC
= Min., I
OH
= –2.0 mA
V
CC
= Min., I
OL
= 4.0 mA
Max.
Max.
Unit
V
V
V
Output HIGH Voltage
Output LOW Voltage
Input HIGH Voltage
0.4
V
CC
+0.3V
0.8
+1
+5
0.4
V
CC
+0.3V
0.8
+1
+5
2.2
2.2
V
IL
I
IX
I
OZ
Input LOW Voltage
[2]
Input Load Current
Output Leakage
Current
Output Short
Circuit Current
[3]
V
CC
Operating
Supply Current
Automatic CE Power-Down
Current — TTL Inputs
–0.3
–1
–5
–0.3
–1
–5
V
μ
A
μ
A
GND
≤
V
I
≤
V
CC
,
Output Disabled
V
CC
= Max., V
OUT
= GND
I
OS
–300
–300
mA
I
CC
V
CC
= Max., I
OUT
= 0 mA,
f = f
MAX
= 1/t
RC
Max. V
CC
, CE
≥
V
IH
,
V
IN
≥
V
IH
, or V
IN
≤
V
IL
,f = f
MAX
60
55
mA
I
SB1
5
4
5
4
mA
mA
μ
A
μ
A
L
I
SB2
Automatic CE Power-Down
Current — CMOS Inputs
[4]
Max. V
CC
, CE
≥
V
CC
– 0.3V, V
IN
≥
V
CC
– 0.3V, or V
IN
≤
0.3V,
WE
≥
V
CC
– 0.3V or WE
≤
0.3V,
f=f
MAX
500
50
500
50
L
Notes:
2.
3.
4.
Minimum voltage is equal to –2.0V for pulse durations of less than 20 ns.
Not more than one output should be shorted at one time. Duration of the short circuit should not exceed 30 seconds.
Device draws low standby current regardless of switching on the addresses.
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PDF描述
CY7C1399B-12ZI 32K x 8 3.3V Static RAM
CY7C1399B-15VC 32K x 8 3.3V Static RAM
CY7C1399B-15VI 32K x 8 3.3V Static RAM
CY7C1399B-15ZC 32K x 8 3.3V Static RAM
CY7C1399B-15ZI 32K x 8 3.3V Static RAM
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參數(shù)描述
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CY7C1399B-12ZXCT 功能描述:IC SRAM 256KBIT 12NS 28TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:移動 SDRAM 存儲容量:256M（8Mx32） 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.95 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應商設備封裝:90-VFBGA（8x13） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:557-1327-2
CY7C1399B-15VC 功能描述:IC SRAM 256KBIT 15NS 28SOJ RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:96 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:FLASH 存儲容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:70ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.65 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應商設備封裝:48-TSOP 包裝:托盤
CY7C1399B-15VCT 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:256K (32K X 8)- FAST ASYNCH SRAM - Bulk 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:
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