參數(shù)資料
型號(hào)： CY7C1399B-12ZC
廠商： CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： DRAM
英文描述： 32K x 8 3.3V Static RAM
中文描述： 32K X 8 CACHE SRAM, 12 ns, PDSO28
封裝： 8 X 13.40 MM, TSOP1-28
文件頁數(shù)： 3/10頁
文件大?。?/td> 151K
代理商： CY7C1399B-12ZC
CY7C1399B
Document #: 38-05071 Rev. *C
Page 3 of 10
Electrical Characteristics
Over the Operating Range (continued)
1399B-15
Min.
2.4
1399B-20
Min.
2.4
Parameter
V
OH
V
OL
V
IH
Description
Test Conditions
Max.
Max.
Unit
V
V
V
Output HIGH Voltage
Output LOW Voltage
Input HIGH Voltage
V
CC
= Min., I
OH
= –2.0 mA
V
CC
= Min., I
OL
= 4.0 mA
0.4
V
CC
+0.3V
0.8
+1
+5
0.4
V
CC
+0.3V
0.8
+1
+5
2.2
2.2
V
IL
I
IX
I
OZ
Input LOW Voltage
Input Load Current
Output Leakage Current
–0.3
–1
–5
–0.3
–1
–5
V
μ
A
μ
A
GND
≤
V
I
≤
V
CC
,
Output Disabled
V
CC
= Max., V
OUT
= GND
I
OS
Output Short Circuit
Current
[3]
V
CC
Operating
Supply Current
Automatic CE Power-Down
Current — TTL Inputs
–300
–300
mA
I
CC
V
CC
= Max., I
OUT
= 0 mA,
f = f
MAX
= 1/t
RC
Max. V
CC
, CE
≥
V
IH
,
V
IN
≥
V
IH
, or V
IN
≤
V
IL
,
f = f
MAX
Max. V
CC
, CE
≥
V
CC
–0.3V, V
IN
≥
V
CC
– 0.3V, or V
IN
0.3V,
WE
≥
V
CC
–0.3V or WE
≤
0.3V,
f=f
MAX
50
45
mA
I
SB1
5
4
5
4
mA
mA
L
I
SB2
Automatic CE Power-Down
Current — CMOS Inputs
[4]
500
50
500
50
μ
A
μ
A
L
Capacitance
[5]
Parameter
Description
Input Capacitance
Test Conditions
T
A
= 25
°
C, f = 1 MHz, V
CC
= 3.3V
Max.
5
6
6
Unit
pF
pF
pF
C
IN
: Addresses
C
IN
: Controls
C
OUT
Output Capacitance
AC Test Loads and Waveforms
Note:
5.
Tested initially and after any design or process changes that may affect these parameters.
3.0V
3.3V
OUTPUT
R1 317
R2
351
C
L
INCLUDING
JIG AND
SCOPE
GND
90%
10%
90%
10%
≤
3 ns
≤
3 ns
OUTPUT
1.73V
Equivalent to:
THéVENIN EQUIVALENT
167
ALL INPUT PULSES
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CY7C1399B-12ZI 32K x 8 3.3V Static RAM
CY7C1399B-15VC 32K x 8 3.3V Static RAM
CY7C1399B-15VI 32K x 8 3.3V Static RAM
CY7C1399B-15ZC 32K x 8 3.3V Static RAM
CY7C1399B-15ZI 32K x 8 3.3V Static RAM
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參數(shù)描述
CY7C1399B-12ZCT 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:256K (32K X 8)- FAST ASYNCH SRAM - Bulk 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:
CY7C1399B-12ZXC 功能描述:IC SRAM 256KBIT 12NS 28TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SDRAM 存儲(chǔ)容量:256M（8Mx32） 速度:143MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA（8x13） 包裝:托盤 其它名稱:Q2841869
CY7C1399B-12ZXCT 功能描述:IC SRAM 256KBIT 12NS 28TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:移動(dòng) SDRAM 存儲(chǔ)容量:256M（8Mx32） 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.95 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA（8x13） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:557-1327-2
CY7C1399B-15VC 功能描述:IC SRAM 256KBIT 15NS 28SOJ RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:96 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:閃存 存儲(chǔ)器類型:FLASH 存儲(chǔ)容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:70ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.65 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤
CY7C1399B-15VCT 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:256K (32K X 8)- FAST ASYNCH SRAM - Bulk 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:
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