參數(shù)資料
型號(hào): CY7C1392BV18-167BZI
廠商: CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: DRAM
英文描述: 18-Mbit DDR-II SIO SRAM 2-Word Burst Architecture
中文描述: 2M X 8 DDR SRAM, 0.5 ns, PBGA165
封裝: 13 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, MO-216, FBGA-165
文件頁(yè)數(shù): 26/27頁(yè)
文件大小: 446K
代理商: CY7C1392BV18-167BZI
CY7C1392BV18
CY7C1992BV18
CY7C1393BV18
CY7C1394BV18
Document Number: 38-05623 Rev. *C
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QDR
SRAMs and Quad Data Rate
SRAMs comprise a new family of products developed by Cypress, Hitachi, IDT, Micron,
NEC and Samsung technology. All product and company names mentioned in this document are the trademarks of their respective
holders.
Package Diagram
A
PIN 1 CORNER
1
13.00±0.10
7
1.00
0.50 (0.25 M C A B
0.25 M0.05 M C
0.05 M C
B
A
0.15(4X)
0
SEATING PLANE
0
0
0
PIN 1 CORNER
TOP VIEW
BOTTOM VIEW
5
6
7
8
9
10
10.00
1
B
C
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H
J
K
L
M
N
11
11
10
9
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3
2
1
P
R
P
R
K
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N
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E
D
C
B
A
A
1
13.00±0.10
B
C
1
5.00
0
0.50 (165X)
1
SOLDER PAD TYPE : NON-SOLDER MASK DEFINED (NSMD)
PACKAGE WEIGHT : 0.475g
JEDEC REFERENCE : MO-216 / DESIGN 4.6C
PACKAGE CODE : BB0AC
PACKAGE CODE : BB0AC
51-85180-*A
165 FBGA 13 x 15 x 1.40 MM BB165D/BW165D
165-ball FBGA (13 x 15 x 1.4 mm) (51-85180)
A
1
PIN 1 CORNER
1
13.00±0.10
7
1.00
B
A
0.15(4X)
0
SEATING PLANE
0
0
0
PIN 1 CORNER
TOP VIEW
BOTTOM VIEW
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10.00
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N
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P
R
P
R
K
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H
G
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D
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B
A
A
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13.00±0.10
B
C
1
5.00
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51-85180-*A
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
CY7C1392BV18-167BZXC 18-Mbit DDR-II SIO SRAM 2-Word Burst Architecture
CY7C1392BV18-167BZXI 18-Mbit DDR-II SIO SRAM 2-Word Burst Architecture
CY7C1392BV18-200BZC 18-Mbit DDR-II SIO SRAM 2-Word Burst Architecture
CY7C1392BV18-200BZI 18-Mbit DDR-II SIO SRAM 2-Word Burst Architecture
CY7C1392BV18-200BZXC 18-Mbit DDR-II SIO SRAM 2-Word Burst Architecture
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
CY7C1392CV18-200BZC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 2Mx8 1.8V DDR II SIO 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1392CV18-250BZC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 2Mx8 1.8V DDR II SIO 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1392KV18-250BZXC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 18Mb DDR II SIO 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1392SC 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:
CY7C1392SV18-250BZC 功能描述:IC SRAM 2MX8 DDRII 165-FBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:4K (512 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 線串口 電源電壓:2.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC(0.173",4.40mm 寬) 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-MFP 包裝:帶卷 (TR)