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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | CY7C1392BV18-167BZI |
| 廠商： | CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類(lèi)： | DRAM |
| 英文描述： | 18-Mbit DDR-II SIO SRAM 2-Word Burst Architecture |
| 中文描述： | 2M X 8 DDR SRAM, 0.5 ns, PBGA165 |
| 封裝： | 13 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, MO-216, FBGA-165 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 2/27頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 446K |
| 代理商： | CY7C1392BV18-167BZI |
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CY7C1392BV18
CY7C1992BV18
CY7C1393BV18
CY7C1394BV18
Document Number: 38-05623 Rev. *C
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Logic Block Diagram (CY7C1392BV18)
1M x 8
Memory
Array
CLK
Gen.
A
(19:0)
K
K
Control
Logic
Address
Register
D
[7:0]
R
Read Data Reg.
LD
NWS
0
NWS
1
Q
[7:0]
Control
Logic
Reg.
Reg.
Reg.
8
8
16
Write
Data Reg
8
V
REF
W
Write
Data Reg
1M x 8
Memory
Array
8
8
20
8
C
C
R/W
LD
R/W
CQ
CQ
DOFF
Logic Block Diagram (CY7C1992BV18)
1M x 9
Memory
Array
CLK
Gen.
A
(19:0)
K
K
Control
Logic
Address
Register
D
[8:0]
R
Read Data Reg.
LD
BWS
0
Q
[8:0]
Control
Logic
Reg.
Reg.
Reg.
9
9
18
Write
Data Reg
9
V
REF
W
Write
Data Reg
1M x 9
Memory
Array
9
9
20
9
C
C
R/W
LD
R/W
CQ
CQ
DOFF
[+] Feedback
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CY7C1392BV18-167BZXC | 18-Mbit DDR-II SIO SRAM 2-Word Burst Architecture |
| CY7C1392BV18-167BZXI | 18-Mbit DDR-II SIO SRAM 2-Word Burst Architecture |
| CY7C1392BV18-200BZC | 18-Mbit DDR-II SIO SRAM 2-Word Burst Architecture |
| CY7C1392BV18-200BZI | 18-Mbit DDR-II SIO SRAM 2-Word Burst Architecture |
| CY7C1392BV18-200BZXC | 18-Mbit DDR-II SIO SRAM 2-Word Burst Architecture |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| CY7C1392CV18-200BZC | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 2Mx8 1.8V DDR II SIO 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1392CV18-250BZC | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 2Mx8 1.8V DDR II SIO 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1392KV18-250BZXC | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 18Mb DDR II SIO 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1392SC | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述: |
| CY7C1392SV18-250BZC | 功能描述:IC SRAM 2MX8 DDRII 165-FBGA RoHS:否 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類(lèi)型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:4K (512 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:2.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-MFP 包裝:帶卷 (TR) |
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