參數(shù)資料
型號： CY7C1392BV18-167BZI
廠商： CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： DRAM
英文描述： 18-Mbit DDR-II SIO SRAM 2-Word Burst Architecture
中文描述： 2M X 8 DDR SRAM, 0.5 ns, PBGA165
封裝： 13 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, MO-216, FBGA-165
文件頁數(shù)： 25/27頁
文件大小： 446K
代理商： CY7C1392BV18-167BZI
CY7C1392BV18
CY7C1992BV18
CY7C1393BV18
CY7C1394BV18
Document Number: 38-05623 Rev. *C
Page 25 of 27
250
CY7C1392BV18-250BZI
CY7C1992BV18-250BZI
CY7C1393BV18-250BZI
CY7C1394BV18-250BZI
CY7C1392BV18-250BZXI
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CY7C1393BV18-250BZXI
CY7C1394BV18-250BZXI
CY7C1392BV18-278BZC
CY7C1992BV18-278BZC
CY7C1393BV18-278BZC
CY7C1394BV18-278BZC
CY7C1392BV18-278BZXC 51-85180 165-ball Fine Pitch Ball Grid Array (13 x 15 x 1.4 mm) Lead-Free
CY7C1992BV18-278BZXC
CY7C1393BV18-278BZXC
CY7C1394BV18-278BZXC
CY7C1392BV18-278BZI
51-85180 165-ball Fine Pitch Ball Grid Array (13 x 15 x 1.4 mm)
CY7C1992BV18-278BZI
CY7C1393BV18-278BZI
CY7C1394BV18-278BZI
CY7C1392BV18-278BZXI
51-85180 165-ball Fine Pitch Ball Grid Array (13 x 15 x 1.4 mm) Lead-Free
CY7C1992BV18-278BZXI
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CY7C1394BV18-278BZXI
CY7C1392BV18-300BZC
51-85180 165-ball Fine Pitch Ball Grid Array (13 x 15 x 1.4 mm)
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CY7C1393BV18-300BZC
CY7C1394BV18-300BZC
CY7C1392BV18-300BZXC 51-85180 165-ball Fine Pitch Ball Grid Array (13 x 15 x 1.4 mm) Lead-Free
CY7C1992BV18-300BZXC
CY7C1393BV18-300BZXC
CY7C1394BV18-300BZXC
CY7C1392BV18-300BZI
51-85180 165-ball Fine Pitch Ball Grid Array (13 x 15 x 1.4 mm)
CY7C1992BV18-300BZI
CY7C1393BV18-300BZI
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CY7C1392BV18-300BZXI
51-85180 165-ball Fine Pitch Ball Grid Array (13 x 15 x 1.4 mm) Lead-Free
CY7C1992BV18-300BZXI
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CY7C1394BV18-300BZXI
51-85180 165-ball Fine Pitch Ball Grid Array (13 x 15 x 1.4 mm)
Industrial
51-85180 165-ball Fine Pitch Ball Grid Array (13 x 15 x 1.4 mm) Lead-Free
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51-85180 165-ball Fine Pitch Ball Grid Array (13 x 15 x 1.4 mm)
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Industrial
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CY7C1392BV18-167BZXC 18-Mbit DDR-II SIO SRAM 2-Word Burst Architecture
CY7C1392BV18-167BZXI 18-Mbit DDR-II SIO SRAM 2-Word Burst Architecture
CY7C1392BV18-200BZC 18-Mbit DDR-II SIO SRAM 2-Word Burst Architecture
CY7C1392BV18-200BZI 18-Mbit DDR-II SIO SRAM 2-Word Burst Architecture
CY7C1392BV18-200BZXC 18-Mbit DDR-II SIO SRAM 2-Word Burst Architecture
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
CY7C1392CV18-200BZC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 2Mx8 1.8V DDR II SIO 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1392CV18-250BZC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 2Mx8 1.8V DDR II SIO 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1392KV18-250BZXC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 18Mb DDR II SIO 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1392SC 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:
CY7C1392SV18-250BZC 功能描述:IC SRAM 2MX8 DDRII 165-FBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:4K (512 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:2.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-MFP 包裝:帶卷 (TR)
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