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參數(shù)資料
| 型號： | CY7C1392BV18-167BZI |
| 廠商： | CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 18-Mbit DDR-II SIO SRAM 2-Word Burst Architecture |
| 中文描述： | 2M X 8 DDR SRAM, 0.5 ns, PBGA165 |
| 封裝： | 13 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, MO-216, FBGA-165 |
| 文件頁數(shù)： | 14/27頁 |
| 文件大小： | 446K |
| 代理商： | CY7C1392BV18-167BZI |
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CY7C1392BV18
CY7C1992BV18
CY7C1393BV18
CY7C1394BV18
Document Number: 38-05623 Rev. *C
Page 14 of 27
TAP Controller Block Diagram
TAP Electrical Characteristics
Over the Operating Range
[10, 13, 14]
Parameter
V
OH1
V
OH2
V
OL1
V
OL2
V
IH
V
IL
I
X
Description
Test Conditions
I
OH
=
2.0 mA
I
OH
=
100
μ
A
I
OL
= 2.0 mA
I
OL
= 100
μ
A
Min.
1.4
1.6
Max.
Unit
V
V
V
V
V
V
μ
A
Output HIGH Voltage
Output HIGH Voltage
Output LOW Voltage
Output LOW Voltage
Input HIGH Voltage
Input LOW Voltage
Input and OutputLoad Current
0.4
0.2
0.65V
DD
–0.3
–5
V
DD
+ 0.3
0.35V
DD
5
GND
≤
V
I
≤
V
DD
TAP AC Switching Characteristics
Over the Operating Range
[11, 12]
Parameter
t
TCYC
t
TF
t
TH
t
TL
Set-up Times
t
TMSS
t
TDIS
Description
Min.
50
Max.
Unit
ns
MHz
ns
ns
TCK Clock Cycle Time
TCK Clock Frequency
TCK Clock HIGH
TCK Clock LOW
20
20
20
TMS Set-up to TCK Clock Rise
TDI Set-up to TCK Clock Rise
5
5
ns
ns
Notes:
10.These characteristics pertain to the TAP inputs (TMS, TCK, TDI and TDO). Parallel load levels are specified in the Electrical Characteristics table.
11. t
and t
refer to the set-up and hold time requirements of latching data from the boundary scan register.
12.Test conditions are specified using the load in TAP AC test conditions. t
/t
= 1 ns.
13.Overshoot: V
(AC) < V
+0.85V (Pulse width less than t
TCYC
/2); Undershoot V
IL
(AC) >
–1.5V (Pulse width less than t
TCYC
/2).
14.All voltage referenced to ground.
0
0
1
2
.
.
29
30
31
Boundary Scan Register
Identification Register
0
1
2
.
.
.
.
106
0
1
2
Instruction Register
Bypass Register
Selection
Circuitry
Selection
Circuitry
TAP Controller
TDI
TDO
TCK
TMS
[+] Feedback
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CY7C1392BV18-167BZXC | 18-Mbit DDR-II SIO SRAM 2-Word Burst Architecture |
| CY7C1392BV18-167BZXI | 18-Mbit DDR-II SIO SRAM 2-Word Burst Architecture |
| CY7C1392BV18-200BZC | 18-Mbit DDR-II SIO SRAM 2-Word Burst Architecture |
| CY7C1392BV18-200BZI | 18-Mbit DDR-II SIO SRAM 2-Word Burst Architecture |
| CY7C1392BV18-200BZXC | 18-Mbit DDR-II SIO SRAM 2-Word Burst Architecture |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| CY7C1392CV18-200BZC | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 2Mx8 1.8V DDR II SIO 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1392CV18-250BZC | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 2Mx8 1.8V DDR II SIO 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1392KV18-250BZXC | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 18Mb DDR II SIO 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1392SC | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述: |
| CY7C1392SV18-250BZC | 功能描述:IC SRAM 2MX8 DDRII 165-FBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:4K (512 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:2.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬） 供應商設備封裝:8-MFP 包裝:帶卷 (TR) |
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