參數(shù)資料
型號(hào): CY7C1387D-200BZC
廠商: CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: DRAM
英文描述: 18-Mbit (512K x 36/1 Mbit x 18) Pipelined DCD Sync SRAM
中文描述: 1M X 18 CACHE SRAM, 3 ns, PBGA165
封裝: 13 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, MO-216, FBGA-165
文件頁(yè)數(shù): 24/30頁(yè)
文件大?。?/td> 974K
代理商: CY7C1387D-200BZC
CY7C1386D, CY7C1386F
CY7C1387D, CY7C1387F
Document Number: 38-05545 Rev. *E
Page 24 of 30
ZZ Mode Timing
[30, 31]
Switching Waveforms
(continued)
tZZ
I
SUPPLY
CLK
ZZ
tZZREC
ALL INPUTS
(except ZZ)
DON’T CARE
IDDZZ
tZZI
tRZZI
Outputs (Q)
High-Z
DESELECT or READ Only
Notes
30.Device must be deselected when entering ZZ sleep mode. See cycle descriptions table for all possible signal conditions to deselect the device.
31.DQs are in high-Z when exiting ZZ sleep mode.
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
CY7C1387D-200BZI 18-Mbit (512K x 36/1 Mbit x 18) Pipelined DCD Sync SRAM
CY7C1387D-200BZXC 18-Mbit (512K x 36/1 Mbit x 18) Pipelined DCD Sync SRAM
CY7C1387D-200BZXI 18-Mbit (512K x 36/1 Mbit x 18) Pipelined DCD Sync SRAM
CY7C1387D-250AXI 18-Mbit (512K x 36/1 Mbit x 18) Pipelined DCD Sync SRAM
CY7C1387D-250BZI 18-Mbit (512K x 36/1 Mbit x 18) Pipelined DCD Sync SRAM
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參數(shù)描述
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CY7C1392CV18-200BZC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 2Mx8 1.8V DDR II SIO 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1392CV18-250BZC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 2Mx8 1.8V DDR II SIO 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray