參數(shù)資料
型號(hào): CY7C1387D-200BZC
廠商: CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: DRAM
英文描述: 18-Mbit (512K x 36/1 Mbit x 18) Pipelined DCD Sync SRAM
中文描述: 1M X 18 CACHE SRAM, 3 ns, PBGA165
封裝: 13 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, MO-216, FBGA-165
文件頁數(shù): 2/30頁
文件大?。?/td> 974K
代理商: CY7C1387D-200BZC
CY7C1386D, CY7C1386F
CY7C1387D, CY7C1387F
Document Number: 38-05545 Rev. *E
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Logic Block Diagram – CY7C1386D/CY7C1386F
[3]
(512K x 36)
Logic Block Diagram – CY7C1387D/CY7C1387F
[3]
(1M x 18)
ADDRESS
REGISTER
ADV
CLK
BURST
COUNTER AND
LOGIC
CLR
Q1
Q0
ADSP
ADSC
MODE
BW
D
BW
C
BW
B
BW
A
BWE
GW
CE
1
CE
2
CE
3
OE
DQ
D,
DQP
D
BYTE
WRITE REGISTER
DQ
c
,DQP
C
BYTE
WRITE REGISTER
DQ
B
,DQP
B
BYTE
WRITE REGISTER
DQ
A,
DQP
A
BYTE
WRITE REGISTER
ENABLE
REGISTER
PIPELINED
ENABLE
OUTPUT
REGISTERS
AMPS
ARRAY
OUTPUT
BUFFERS
DQ
A,
DQP
A
BYTE
WRITE DRIVER
DQ
B
,DQP
B
BYTE
WRITE DRIVER
DQ
c
,DQP
C
BYTE
WRITE DRIVER
DQ
D,
DQP
D
BYTE
WRITE DRIVER
INPUT
REGISTERS
A0,A1,A
A[1:0]
CONTROL
ZZ
E
2
DQs
DQP
A
DQP
B
DQP
C
DQP
D
ADDRESS
REGISTER
ADV
CLK
BURST
COUNTER AND
CLR
Q1
Q0
ADSC
BW
B
BW
A
BWE
CE
1
CE
2
CE
3
DQ
B,
DQP
B
BYTE
WRITE REGISTER
DQ
A ,
DQP
BYTE
WRITE REGISTER
ENABLE
REGISTER
OE
SENSE
AMPS
MEMORY
ARRAY
ADSP
2
A
[1:0]
MODE
PIPELINED
ENABLE
DQ
s,
DQP
A
DQP
B
OUTPUT
REGISTERS
INPUT
REGISTERS
E
OUTPUT
BUFFERS
DQ
B ,
DQP
B
BYTE
DQ
A,
DQP
A
BYTE
SLEEP
CONTROL
A0, A1, A
Note
3. CY7C1386F and CY7C1387F have only 1 Chip Enable (CE
1
).
[+] Feedback
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CY7C1387D-200BZI 18-Mbit (512K x 36/1 Mbit x 18) Pipelined DCD Sync SRAM
CY7C1387D-200BZXC 18-Mbit (512K x 36/1 Mbit x 18) Pipelined DCD Sync SRAM
CY7C1387D-200BZXI 18-Mbit (512K x 36/1 Mbit x 18) Pipelined DCD Sync SRAM
CY7C1387D-250AXI 18-Mbit (512K x 36/1 Mbit x 18) Pipelined DCD Sync SRAM
CY7C1387D-250BZI 18-Mbit (512K x 36/1 Mbit x 18) Pipelined DCD Sync SRAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
CY7C138XC 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:
CY7C139-25JC 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:
CY7C139-25JXC 功能描述:IC SRAM 36KBIT 25NS 68PLCC RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:移動(dòng) SDRAM 存儲(chǔ)容量:256M(8Mx32) 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.95 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA(8x13) 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:557-1327-2
CY7C1392CV18-200BZC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 2Mx8 1.8V DDR II SIO 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1392CV18-250BZC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 2Mx8 1.8V DDR II SIO 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray