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參數(shù)資料
| 型號： | CY7C1382CV25 |
| 廠商： | Cypress Semiconductor Corp. |
| 英文描述： | 512K x 36/1M x 18 Pipelined SRAM |
| 中文描述： | 為512k × 36/1M × 18流水線的SRAM |
| 文件頁數(shù)： | 22/33頁 |
| 文件大小： | 537K |
| 代理商： | CY7C1382CV25 |
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CY7C1380CV25
CY7C1382CV25
PRELIMINARY
Document #: 38-05240 Rev. *A
Page 22 of 33
Switching Characteristics
Over the Operating Range
[15, 16, 17]
-250
-225
-200
-167
Parameter
t
CYC
t
CH
t
CL
t
AS
t
AH
t
CO
t
DOH
t
ADS
t
ADH
t
WES
t
WEH
t
ADVS
t
ADVH
t
DS
t
DH
t
CES
t
CEH
t
CHZ
t
CLZ
t
EOHZ
t
EOLZ
t
EOV
Shaded areas contain preliminary information.
Description
Min.
4.0
1.7
1.7
1.2
0.3
Max.
Min.
4.4
2.0
2.0
1.4
0.4
Max.
Min.
5
2.0
2.0
1.4
0.4
Max.
Min.
6
2.2
2.2
1.5
0.5
Max.
Unit
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
Clock Cycle Time
Clock HIGH
Clock LOW
Address Set-up Before CLK Rise
Address Hold After CLK Rise
Data Output Valid After CLK Rise
Data Output Hold After CLK Rise
ADSP, ADSC Set-up Before CLK Rise
ADSP, ADSC Hold After CLK Rise
BWE, GW, BW
x
Set-up Before CLK Rise
BWE, GW, BW
x
Hold After CLK Rise
ADV Set-up Before CLK Rise
ADV Hold After CLK Rise
Data Input Set-up Before CLK Rise
Data Input Hold After CLK Rise
Chip Enable Set-up
Chip Enable Hold After CLK Rise
Clock to High-Z
[16]
Clock to Low-Z
[16]
OE HIGH to Output High-Z
[16, 17]
OE LOW to Output Low-Z
[16, 17]
OE LOW to Output Valid
[16]
2.6
2.8
3.0
3.4
1.0
1.2
0.3
1.2
0.3
1.2
0.3
1.2
0.3
1.2
0.3
1.0
1.4
0.4
1.4
0.4
1.4
0.4
1.4
0.4
1.4
0.4
1.3
1.4
0.4
1.4
0.4
1.4
0.4
1.4
0.4
1.4
0.4
1.3
1.5
0.5
1.5
0.5
1.5
0.5
1.5
0.5
1.5
0.5
2.6
2.8
3.0
3.4
1.0
1.0
1.3
1.3
2.6
2.8
3.0
3.4
0
0
0
0
2.6
2.8
3.0
3.4
Notes:
15. Unless otherwise noted, test conditions assume signal transition time of 1 ns or less, timing reference levels of 1.25V, input pulse levels of 0 to 2.5V, and
output loading of the specified I
OL
/I
and load capacitance. Shown in (a), (b) and (c) of AC Test Loads.
16. t
, t
, t
OEV
, t
EOLZ
, and t
EOHZ
are specified with a load capacitance of 5 pF as in part (b) of AC Test Loads. Transition is measured
±
200 mV from steady-
state voltage.
17. At any given voltage and temperature, t
EOHZ
is less than t
EOLZ
and t
CHZ
is less than t
CLZ
.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CY7C1382CV25-200BZC | 512K x 36/1M x 18 Pipelined SRAM |
| CY7C1382CV25-200BZI | 512K x 36/1M x 18 Pipelined SRAM |
| CY7C1382CV25-225AC | 512K x 36/1M x 18 Pipelined SRAM |
| CY7C1382CV25-225AI | 512K x 36/1M x 18 Pipelined SRAM |
| CY7C1382CV25-225BGC | 512K x 36/1M x 18 Pipelined SRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| CY7C1382D-167AXC | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 1Mx18 3.3V COM 1CD Sync PL 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1382D-167AXC | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:IC SRAM 18MBIT PARALLEL 3.4NS TQFP100 |
| CY7C1382D-167AXCT | 功能描述:IC SRAM 18MBIT 167MHZ 100LQFP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:移動 SDRAM 存儲容量:256M（8Mx32） 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.95 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA（8x13） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:557-1327-2 |
| CY7C1382D-200AXC | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 1Mx18 3.3V COM 1CD Sync PL 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1382D-200AXCT | 功能描述:IC SRAM 18MBIT 200MHZ 100LQFP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:移動 SDRAM 存儲容量:256M（8Mx32） 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.95 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA（8x13） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:557-1327-2 |
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