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參數(shù)資料
| 型號： | CY7C1382CV25 |
| 廠商： | Cypress Semiconductor Corp. |
| 英文描述： | 512K x 36/1M x 18 Pipelined SRAM |
| 中文描述： | 為512k × 36/1M × 18流水線的SRAM |
| 文件頁數(shù)： | 10/33頁 |
| 文件大?。?/td> | 537K |
| 代理商： | CY7C1382CV25 |
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CY7C1380CV25
CY7C1382CV25
PRELIMINARY
Document #: 38-05240 Rev. *A
Page 10 of 33
Cycle Descriptions
[1, 2, 3, 4]
Next Cycle
Add. Used
ZZ
CE
3
CE
2
CE
1
ADSP
ADSC
ADV
OE
DQ
Write
Unselected
None
0
X
X
1
X
0
X
X
Hi-Z
X
Unselected
None
0
1
X
0
0
X
X
X
Hi-Z
X
Unselected
None
0
X
0
0
0
X
X
X
Hi-Z
X
Unselected
None
0
1
X
0
1
0
X
X
Hi-Z
X
Unselected
None
0
X
0
0
1
0
X
X
Hi-Z
X
Begin Read
External
0
0
1
0
0
X
X
X
Hi-Z
X
Begin Read
External
0
0
1
0
1
0
X
X
Hi-Z
Read
Continue Read
Next
0
X
X
X
1
1
0
1
Hi-Z
Read
Continue Read
Next
0
X
X
X
1
1
0
0
DQ
Read
Continue Read
Next
0
X
X
1
X
1
0
1
Hi-Z
Read
Continue Read
Next
0
X
X
1
X
1
0
0
DQ
Read
Suspend Read
Current
0
X
X
X
1
1
1
1
Hi-Z
Read
Suspend Read
Current
0
X
X
X
1
1
1
0
DQ
Read
Suspend Read
Current
0
X
X
1
X
1
1
1
Hi-Z
Read
Suspend Read
Current
0
X
X
1
X
1
1
0
DQ
Read
Begin Write
Current
0
X
X
X
1
1
1
X
Hi-Z
Write
Begin Write
Current
0
X
X
1
X
1
1
X
Hi-Z
Write
Begin Write
External
0
0
1
0
1
0
X
X
Hi-Z
Write
Continue Write
Next
0
X
X
X
1
1
0
X
Hi-Z
Write
Continue Write
Next
0
X
X
1
X
1
0
X
Hi-Z
Write
Suspend Write
Current
0
X
X
X
1
1
1
X
Hi-Z
Write
Suspend Write
Current
0
X
X
1
X
1
1
X
Hi-Z
Write
ZZ
“
sleep
”
None
1
X
X
X
X
X
X
X
Hi-Z
X
Notes:
1.
2.
3.
4.
X =
“
Don't Care,
”
1 = HIGH, 0 = LOW.
Write is defined by BWE, BW
, and GW. See Write Cycle Descriptions table.
The DQ pins are controlled by the current cycle and the OE signal. OE is asynchronous and is not sampled with the clock.
CE
1
, CE
2
and CE
3
are available only in the TQFP package. The BGA package has a single chip select, CE
1
.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CY7C1382CV25-200BZC | 512K x 36/1M x 18 Pipelined SRAM |
| CY7C1382CV25-200BZI | 512K x 36/1M x 18 Pipelined SRAM |
| CY7C1382CV25-225AC | 512K x 36/1M x 18 Pipelined SRAM |
| CY7C1382CV25-225AI | 512K x 36/1M x 18 Pipelined SRAM |
| CY7C1382CV25-225BGC | 512K x 36/1M x 18 Pipelined SRAM |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| CY7C1382D-167AXC | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 1Mx18 3.3V COM 1CD Sync PL 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1382D-167AXC | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:IC SRAM 18MBIT PARALLEL 3.4NS TQFP100 |
| CY7C1382D-167AXCT | 功能描述:IC SRAM 18MBIT 167MHZ 100LQFP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:移動 SDRAM 存儲容量:256M（8Mx32） 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.95 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應商設備封裝:90-VFBGA（8x13） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:557-1327-2 |
| CY7C1382D-200AXC | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 1Mx18 3.3V COM 1CD Sync PL 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1382D-200AXCT | 功能描述:IC SRAM 18MBIT 200MHZ 100LQFP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:移動 SDRAM 存儲容量:256M（8Mx32） 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.95 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應商設備封裝:90-VFBGA（8x13） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:557-1327-2 |
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