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參數(shù)資料
| 型號： | CY7C1370D-250AXI |
| 廠商： | CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 18-Mbit (512K X 36/1M X 18) Pipelined SRAM with NoBL Architecture |
| 中文描述： | 512K X 36 ZBT SRAM, 2.6 ns, PQFP100 |
| 封裝： | (14 X 20 X 1.4) MM, LEAD FREE, PLASTIC, TQFP-100 |
| 文件頁數(shù)： | 21/30頁 |
| 文件大小： | 344K |
| 代理商： | CY7C1370D-250AXI |
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PRELIMINARY
CY7C1370D
CY7C1372D
Document #: 38-05555 Rev. *A
Page 21 of 30
Note:
18.Tested initially and after any design or process change that may affect these parameters.
I
SB4
Automatic CE
Power-down
Current—TTL Inputs
Max. V
DD
, Device Deselected,
V
IN
≥
V
IH
or V
IN
≤
V
IL
, f = 0
All speed grades
80
mA
Electrical Characteristics
Over the Operating Range
(continued)
[16, 17]
Parameter
Description
Test Conditions
Min.
Max.
Unit
Capacitance
[18]
Parameter
C
IN
C
CLK
C
I/O
Description
Test Conditions
T
A
= 25
°
C, f = 1 MHz,
V
DD
= 3.3V.
V
DDQ
= 2.5V
TQFP
Package
5
5
5
BGA
Package
8
8
8
fBGA
Package
9
9
9
Unit
pF
pF
pF
Input Capacitance
Clock Input Capacitance
Input/Output Capacitance
Thermal Resistance
[18]
Parameter
Θ
JA
Description
Test Conditions
Test conditions follow standard
test methods and procedures
for measuring thermal
impedance, per EIA / JESD51.
TQFP
Package
31
BGA
Package
45
fBGA
Package
46
Unit
°
C/W
Thermal Resistance
(Junction to Ambient)
Thermal Resistance
(Junction to Case)
Θ
JC
6
7
3
°
C/W
OUTPUT
R = 317
R = 351
5 pF
INCLUDING
JIG AND
SCOPE
(a)
(b)
OUTPUT
R
L
= 50
Z
0
= 50
V
T
= 1.5V
3.3V
ALL INPUT PULSES
V
DDQ
GND
90%
10%
90%
10%
≤
1ns
≤
1ns
(c)
OUTPUT
R = 1667
R = 1538
5 pF
INCLUDING
JIG AND
SCOPE
(a)
(b)
OUTPUT
R
L
= 50
Z
0
= 50
V
T
= 1.25V
2.5V
ALL INPUT PULSES
V
DDQ
GND
90%
10%
90%
10%
≤
1ns
≤
1ns
(c)
3.3V I/O Test Load
2.5V I/O Test Load
AC Test Loads and Waveforms
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CY7C1370D-250BGC | 18-Mbit (512K X 36/1M X 18) Pipelined SRAM with NoBL Architecture |
| CY7C1370D-250BGI | 18-Mbit (512K X 36/1M X 18) Pipelined SRAM with NoBL Architecture |
| CY7C1370D-250BZC | 18-Mbit (512K X 36/1M X 18) Pipelined SRAM with NoBL Architecture |
| CY7C1370D-250BZI | 18-Mbit (512K X 36/1M X 18) Pipelined SRAM with NoBL Architecture |
| CY7C1372D | 18-Mbit (512K X 36/1M X 18) Pipelined SRAM with NoBL Architecture |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| CY7C1370D-250BZC | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:SRAM SYNC QUAD 3.3V 18MBIT 512KX36 2.6NS 165FBGA - Bulk |
| CY7C1370DV25-167 | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述: |
| CY7C1370DV25-167AXC | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 512Kx36 2.5V NoBL Sync PL 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 COM RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1370DV25-167AXCT | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 512Kx36 2.5V NoBL Sync PL 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 COM RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1370DV25-167AXI | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 512Kx36 2.5V NoBL Sync PL 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 IND RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
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