參數(shù)資料
型號(hào): CY7C1355C-100AI
廠商: Cypress Semiconductor Corp.
英文描述: 9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Flow-Through SRAM with NoBL Architecture
中文描述: 9兆位(256 × 36/512K × 18)流體系結(jié)構(gòu),通過(guò)與總線延遲靜態(tài)存儲(chǔ)器
文件頁(yè)數(shù): 5/32頁(yè)
文件大?。?/td> 496K
代理商: CY7C1355C-100AI
PRELIMINARY
CY7C1355C
CY7C1357C
Document #: 38-05539 Rev. **
Page 5 of 33
Pin Configurations
(continued)
2
A
3
A
4
5
A
6
A
7
1
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
R
T
U
V
DDQ
NC
NC
DQP
C
DQ
C
DQ
C
DQ
C
DQ
C
V
DD
DQ
D
DQ
D
DQ
D
DQ
D
DQP
D
DQ
C
DQ
C
V
DDQ
DQ
C
DQ
D
DQ
D
NC
DQ
C
V
DDQ
DQ
D
DQ
D
V
DDQ
NC / 18M
V
DDQ
NC
NC
CE
2
A
A
A
V
DDQ
NC
V
DDQ
V
DD
NC
CE
1
OE
A
WE
V
DD
CLK
V
DD
A
V
SS
V
SS
BW
C
V
SS
MODE
V
SS
V
SS
V
SS
BW
D
V
SS
NC
V
SS
NC
NC
TDO
TCK
TDI
TMS
NC / 36M
NC / 72M
NC
V
DDQ
DQ
B
DQ
B
V
DDQ
DQ
A
DQ
A
V
DDQ
DQ
A
DQ
A
A
A
A
CE
3
A
A
A
A
A0
A1
DQ
B
DQ
B
DQ
B
DQ
B
DQ
B
DQ
B
V
DD
DQ
A
DQP
A
DQ
A
DQ
A
DQ
A
ADV/LD
V
SS
V
SS
V
SS
BW
B
V
SS
NC
V
SS
BW
A
V
SS
V
SS
V
SS
DQP
B
NC
CEN
ZZ
2
3
A
A
A
4
5
A
A
6
A
7
1
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
R
T
U
V
DDQ
NC
NC
DQ
B
NC
V
DDQ
NC
NC
DQ
B
NC
DQ
B
NC
V
DD
DQ
B
NC
DQ
B
NC
DQP
B
DQ
B
NC
DQ
B
V
DDQ
NC
DQ
B
V
DDQ
A
NC / 18M
V
DDQ
NC
NC
NC
DQ
A
CE
2
A
V
DDQ
NC
NC / 72M
V
DDQ
V
DD
NC
CLK
V
DD
V
SS
V
SS
BW
B
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
NC
V
SS
NC
NC
A
TDO
TCK
TDI
TMS
A
A
NC
ZZ
V
DDQ
DQ
A
NC
V
DDQ
DQ
A
NC
V
DDQ
NC
DQ
A
A
NC / 36M
A
CE
3
A
DQP
A
A
A
A0
A1
NC
DQ
A
NC
DQ
A
V
DD
DQ
A
NC
NC
DQ
A
NC
ADV/LD
CE
1
OE
A
WE
V
DD
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
NC
V
SS
BW
A
V
SS
V
SS
V
SS
MODE
NC
CEN
CY7C1357C (512K x 18)
CY7C1355C (256K x 36)
119-ball BGA (3 Chip Enables with JTAG)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CY7C1355C-100BGC 9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Flow-Through SRAM with NoBL Architecture
CY7C1355C-100BGI 9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Flow-Through SRAM with NoBL Architecture
CY7C1355C-100BZC 9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Flow-Through SRAM with NoBL Architecture
CY7C1355C-100BZI 9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Flow-Through SRAM with NoBL Architecture
CY7C1355C-117AC 9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Flow-Through SRAM with NoBL Architecture
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
CY7C1355C-100AXC 功能描述:IC SRAM 9MBIT 100MHZ 100LQFP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:NoBL™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:96 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:閃存 存儲(chǔ)器類型:FLASH 存儲(chǔ)容量:16M(2M x 8,1M x 16) 速度:70ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.65 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP(0.724",18.40mm 寬) 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤(pán)
CY7C1355C-100AXCT 功能描述:IC SRAM 9MBIT 100MHZ 100LQFP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:NoBL™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:移動(dòng) SDRAM 存儲(chǔ)容量:256M(8Mx32) 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.95 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA(8x13) 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:557-1327-2
CY7C1355C-100AXI 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:
CY7C1355C-100BGC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 256Kx36 3.3V NoBL Sync FT 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 COM RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1355C-100BGCT 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 256Kx36 3.3V NoBL Sync FT 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 COM RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray