參數(shù)資料
型號(hào): CY7C1355C-100AI
廠商: Cypress Semiconductor Corp.
英文描述: 9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Flow-Through SRAM with NoBL Architecture
中文描述: 9兆位(256 × 36/512K × 18)流體系結(jié)構(gòu),通過(guò)與總線延遲靜態(tài)存儲(chǔ)器
文件頁(yè)數(shù): 2/32頁(yè)
文件大?。?/td> 496K
代理商: CY7C1355C-100AI
PRELIMINARY
CY7C1355C
CY7C1357C
Document #: 38-05539 Rev. **
Page 2 of 33
C
MODE
BW
BW
A
BW
B
WE
CE1
CE2
CE3
OE
READ LOGIC
REGISTER
DQs
DQP
A
DQP
B
MEMORY
ARRAY
E
INPUT
REGISTER
ADDRESS
REGISTER
WRITE REGISTRY
AND DATA COHERENCY
BURST
LOGIC
A0'
A1'
D0
Q1
Q0
A0
ADV/LD
CE
ADV/LD
C
CLK
CEN
WRITE
DRIVERS
D
A
T
A
S
T
E
E
R
I
N
G
S
E
N
S
E
A
M
P
S
WRITE ADDRESS
REGISTER
A0, A1, A
BW
C
O
U
T
P
U
T
B
U
F
F
E
R
S
E
ZZ
SLEEP
CONTROL
1
2
C
MODE
BW
A
B
WE
CE1
CE2
CE3
OE
READ LOGIC
DQs
DQP
A
DQP
B
DQP
C
DQP
D
MEMORY
ARRAY
E
INPUT
REGISTER
ADDRESS
REGISTER
WRITE REGISTRY
AND DATA COHERENCY
CONTROL LOGIC
BURST
LOGIC
A0'
A1'
D1
D0
Q1
Q0
A0
A1
ADV/LD
CE
ADV/LD
C
CLK
CEN
WRITE
DRIVERS
D
A
T
A
S
T
E
E
R
I
N
G
S
E
N
S
E
A
M
P
S
WRITE ADDRESS
REGISTER
A0, A1, A
O
U
T
P
U
T
B
U
F
F
E
R
S
E
ZZ
SLEEP
CONTROL
Logic Block Diagram – CY7C1355C (256K x 36)
C
MODE
BW
A
BW
B
WE
CE1
CE2
CE3
ZZ
OE
READ LOGIC
DQs
DQP
A
DQP
B
MEMORY
ARRAY
E
INPUT
REGISTER
ADDRESS
REGISTER
WRITE REGISTRY
AND DATA COHERENCY
CONTROL LOGIC
BURST
LOGIC
A0'
A1'
D1
D0
Q1
Q0
A0
A1
ADV/LD
CE
ADV/LD
C
CLK
CEN
WRITE
DRIVERS
D
A
T
A
S
T
E
E
R
I
N
G
S
E
N
S
E
A
M
P
S
A0, A1, A
O
U
T
P
U
T
B
U
F
F
E
R
S
E
CSLEEP
Logic Block Diagram – CY7C1357C (512K x 18)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CY7C1355C-100BGC 9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Flow-Through SRAM with NoBL Architecture
CY7C1355C-100BGI 9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Flow-Through SRAM with NoBL Architecture
CY7C1355C-100BZC 9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Flow-Through SRAM with NoBL Architecture
CY7C1355C-100BZI 9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Flow-Through SRAM with NoBL Architecture
CY7C1355C-117AC 9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Flow-Through SRAM with NoBL Architecture
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
CY7C1355C-100AXC 功能描述:IC SRAM 9MBIT 100MHZ 100LQFP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:NoBL™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:96 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:閃存 存儲(chǔ)器類型:FLASH 存儲(chǔ)容量:16M(2M x 8,1M x 16) 速度:70ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.65 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP(0.724",18.40mm 寬) 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤
CY7C1355C-100AXCT 功能描述:IC SRAM 9MBIT 100MHZ 100LQFP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:NoBL™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:移動(dòng) SDRAM 存儲(chǔ)容量:256M(8Mx32) 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.95 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA(8x13) 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:557-1327-2
CY7C1355C-100AXI 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:
CY7C1355C-100BGC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 256Kx36 3.3V NoBL Sync FT 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 COM RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1355C-100BGCT 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 256Kx36 3.3V NoBL Sync FT 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 COM RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray