參數(shù)資料
型號： CY7C1318AV18-200BZC
廠商： CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： DRAM
英文描述： 18-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture
中文描述： 1M X 18 DDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165
封裝： 13 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, FBGA-165
文件頁數(shù)： 20/20頁
文件大?。?/td> 228K
代理商： CY7C1318AV18-200BZC
CY7C1316AV18
CY7C1318AV18
CY7C1320AV18
Document #: 38-05499 Rev. *B
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Document Title: CY7C1316AV18/CY7C1318AV18/CY7C1320AV18 18-Mb DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture
Document Number: 38-05499
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PDF描述
CY7C1318AV18-250BZC 18-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture
CY7C1320AV18-167BZC 18-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture
CY7C1316AV18-200BZC 18-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture
CY7C1320AV18-200BZC IC MUX/DEMUX DIFF 42-TQFN
CY7C1316AV18-250BZC PCI-Express Gen-2, 2-lane (4- channel), differential 2:1 mux/demux with Bypass. Single enable, 1.8V
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
CY7C1318AV-200BZCES 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:
CY7C1318BV18-167BZC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 1Mx18 1.8V COM DDR II 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1318BV18-200BZI 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 1Mx18 1.8V IND DDR II 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1318BV18-250BZC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 1Mx18 1.8V COM DDR II 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1318BV18-250BZCES 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:SRAM SYNC SGL 1.8V 18MBIT 1MX18 4NS 165FBGA - Bulk
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