參數(shù)資料
型號： CY7C1318AV18-200BZC
廠商： CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： DRAM
英文描述： 18-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture
中文描述： 1M X 18 DDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165
封裝： 13 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, FBGA-165
文件頁數(shù)： 16/20頁
文件大小： 228K
代理商： CY7C1318AV18-200BZC
CY7C1316AV18
CY7C1318AV18
CY7C1320AV18
Document #: 38-05499 Rev. *B
Page 16 of 20
TAP Timing and Test Conditions
[27]
Set-up Times
t
TMSS
t
TDIS
t
CS
Hold Times
t
TMSH
t
TDIH
t
CH
Output Times
t
TDOV
t
TDOX
TMS Set-up to TCK Clock Rise
TDI set-up to TCK Clock Rise
Capture Set-up to TCK Rise
10
10
10
ns
ns
ns
TMS Hold after TCK Clock Rise
TDI Hold after Clock Rise
Capture Hold after Clock Rise
10
10
10
ns
ns
ns
TCK Clock LOW to TDO Valid
TCK Clock LOW to TDO Invalid
20
ns
ns
0
TAP AC Switching Characteristics
Over the Operating Range
[26, 27]
(continued)
Parameter
Description
Min.
Max.
Unit
(a)
TDO
C
L
= 20 pF
Z
0
= 50
GND
0.9V
50
1.8V
0V
ALL INPUT PULSES
0.9V
Test Clock
TCK
Test Mode Select
TMS
Test Data-In
TDI
Test Data-Out
TDO
t
TCYC
t
TMSH
t
TL
t
TH
t
TMSS
t
TDIS
t
TDIH
t
TDOV
t
TDOX
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CY7C1318AV18-250BZC 18-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture
CY7C1320AV18-167BZC 18-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture
CY7C1316AV18-200BZC 18-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture
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參數(shù)描述
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CY7C1318BV18-250BZC 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 1Mx18 1.8V COM DDR II 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1318BV18-250BZCES 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:SRAM SYNC SGL 1.8V 18MBIT 1MX18 4NS 165FBGA - Bulk
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