參數(shù)資料
型號(hào)： CY7C1316BV18
廠商： Cypress Semiconductor Corp.
英文描述： 18-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture(2字Burst結(jié)構(gòu),18-Mbit DDR-II SRAM)
中文描述： 18兆位的DDR - II SRAM的2字突發(fā)架構(gòu)（2字突發(fā)結(jié)構(gòu),18 -兆位的DDR - II SRAM的）
文件頁(yè)數(shù)： 25/28頁(yè)
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代理商： CY7C1316BV18
CY7C1316BV18
CY7C1916BV18
CY7C1318BV18
CY7C1320BV18
Document Number: 38-05621 Rev. *C
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167
CY7C1316BV18-167BZC
51-85180 165-ball Fine Pitch Ball Grid Array (13 x 15 x 1.4 mm)
CY7C1916BV18-167BZC
CY7C1318BV18-167BZC
CY7C1320BV18-167BZC
CY7C1316BV18-167BZXC 51-85180 165-ball Fine Pitch Ball Grid Array (13 x 15 x 1.4 mm) Lead-Free
CY7C1916BV18-167BZXC
CY7C1318BV18-167BZXC
CY7C1320BV18-167BZXC
CY7C1316BV18-167BZI
51-85180 165-ball Fine Pitch Ball Grid Array (13 x 15 x 1.4 mm)
CY7C1916BV18-167BZI
CY7C1318BV18-167BZI
CY7C1320BV18-167BZI
CY7C1316BV18-167BZXI
51-85180 165-ball Fine Pitch Ball Grid Array (13 x 15 x 1.4 mm) Lead-Free
CY7C1916BV18-167BZXI
CY7C1318BV18-167BZXI
CY7C1320BV18-167BZXI
200
CY7C1316BV18-200BZC
51-85180 165-ball Fine Pitch Ball Grid Array (13 x 15 x 1.4 mm)
CY7C1916BV18-200BZC
CY7C1318BV18-200BZC
CY7C1320BV18-200BZC
CY7C1316BV18-200BZXC 51-85180 165-ball Fine Pitch Ball Grid Array (13 x 15 x 1.4 mm) Lead-Free
CY7C1916BV18-200BZXC
CY7C1318BV18-200BZXC
CY7C1320BV18-200BZXC
CY7C1316BV18-200BZI
51-85180 165-ball Fine Pitch Ball Grid Array (13 x 15 x 1.4 mm)
CY7C1916BV18-200BZI
CY7C1318BV18-200BZI
CY7C1320BV18-200BZI
CY7C1316BV18-200BZXI
51-85180 165-ball Fine Pitch Ball Grid Array (13 x 15 x 1.4 mm) Lead-Free
CY7C1916BV18-200BZXI
CY7C1318BV18-200BZXI
CY7C1320BV18-200BZXI
250
CY7C1316BV18-250BZC
51-85180 165-ball Fine Pitch Ball Grid Array (13 x 15 x 1.4 mm)
CY7C1916BV18-250BZC
CY7C1318BV18-250BZC
CY7C1320BV18-250BZC
CY7C1316BV18-250BZXC 51-85180 165-ball Fine Pitch Ball Grid Array (13 x 15 x 1.4 mm) Lead-Free
CY7C1916BV18-250BZXC
CY7C1318BV18-250BZXC
CY7C1320BV18-250BZXC
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Package Type
Operating
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Commercial
Industrial
Commercial
Industrial
Commercial
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CY7C1318BV18 18-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture(2字Burst結(jié)構(gòu),18-Mbit DDR-II SRAM)
CY7C192 64K x 4 Static RAM with Separate I/O(帶獨(dú)立的輸入/輸出口的64K x 4靜態(tài) RAM)
CY7C194B 256 Kb (64K x 4) Static RAM
CY7C194B-15PC 256 Kb (64K x 4) Static RAM
CY7C194B-15VC 256 Kb (64K x 4) Static RAM
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參數(shù)描述
CY7C13181SC 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:
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CY7C1318AV-200BZCES 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:
CY7C1318BV18-167BZC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 1Mx18 1.8V COM DDR II 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
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