參數(shù)資料
型號： CY7C1316BV18
廠商： Cypress Semiconductor Corp.
英文描述： 18-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture(2字Burst結構,18-Mbit DDR-II SRAM)
中文描述： 18兆位的DDR - II SRAM的2字突發(fā)架構（2字突發(fā)結構,18 -兆位的DDR - II SRAM的）
文件頁數(shù)： 2/28頁
文件大?。?/td> 469K
代理商： CY7C1316BV18
CY7C1316BV18
CY7C1916BV18
CY7C1318BV18
CY7C1320BV18
Document Number: 38-05621 Rev. *C
Page 2 of 28
Logic Block Diagram (CY7C1316BV18)
CLK
Gen.
A
(19:0)
K
K
Control
Logic
Address
Register
R
Read Data Reg.
R/W
NWS
[1:0]
DQ
[7:0]
Output
Logic
Control
Reg.
Reg.
Reg.
8
8
16
8
V
REF
W
8
C
C
8
LD
20
1
1
Write
Reg
Write
Reg
CQ
CQ
R/W
DOFF
Logic Block Diagram (CY7C1916BV18)
CLK
Gen.
A
(19:0)
K
K
Control
Logic
Address
Register
R
Read Data Reg.
R/W
BWS
[0]
DQ
[8:0]
Output
Logic
Control
Reg.
Reg.
Reg.
9
9
18
9
V
REF
W
9
C
C
9
LD
20
1
1
Write
Reg
Write
Reg
CQ
CQ
R/W
DOFF
相關PDF資料
PDF描述
CY7C1318BV18 18-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture(2字Burst結構,18-Mbit DDR-II SRAM)
CY7C192 64K x 4 Static RAM with Separate I/O(帶獨立的輸入/輸出口的64K x 4靜態(tài) RAM)
CY7C194B 256 Kb (64K x 4) Static RAM
CY7C194B-15PC 256 Kb (64K x 4) Static RAM
CY7C194B-15VC 256 Kb (64K x 4) Static RAM
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
CY7C13181SC 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:
CY7C13181XC 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:
CY7C1318AV18-167BZC 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述: 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:
CY7C1318AV-200BZCES 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:
CY7C1318BV18-167BZC 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 1Mx18 1.8V COM DDR II 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
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