參數(shù)資料
型號(hào)： CY7C1316AV18-167BZC
廠商： CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： DRAM
英文描述： 18-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture
中文描述： 2M X 8 DDR SRAM, 0.5 ns, PBGA165
封裝： 13 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, FBGA-165
文件頁(yè)數(shù)： 2/20頁(yè)
文件大?。?/td> 228K
代理商： CY7C1316AV18-167BZC
CY7C1316AV18
CY7C1318AV18
CY7C1320AV18
Document #: 38-05499 Rev. *B
Page 2 of 20
1M x 18 Array
Write
Reg
Write
Reg
Logic Block Diagram (CY7C1318AV18)
CLK
Gen.
A
(19:0)
K
K
Control
Logic
Address
Register
R
Read Data Reg.
R/W
BWS
[1:0]
DQ
[17:0]
Output
Logic
Control
Reg.
Reg.
Reg.
18
18
36
18
V
REF
W
18
20
C
C
18
LD
Burst
Logic
A0
A
(19:1)
19
CQ
CQ
R/W
DOFF
Logic Block Diagram (CY7C1320AV18)
CLK
Gen.
A
(18:0)
K
K
Control
Logic
Address
Register
R
Read Data Reg.
R/W
BWS
[3:0]
DQ
[35:0]
Output
Logic
Control
Reg.
Reg.
Reg.
72
36
144
36
V
REF
W
72
19
C
C
36
LD
Burst
Logic
A0
A
(18:1)
18
512K x 36 Array
Write
Reg
Write
Reg
CQ
CQ
36
R/W
DOFF
Selection Guide
250 MHz
250
800
200 MHz
200
750
167 MHz
167
700
Unit
MHz
mA
Maximum Operating Frequency
Maximum Operating Current
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CY7C1318AV18-200BZC 18-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture
CY7C1318AV18-250BZC 18-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture
CY7C1320AV18-167BZC 18-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture
CY7C1316AV18-200BZC 18-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture
CY7C1320AV18-200BZC IC MUX/DEMUX DIFF 42-TQFN
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
CY7C13181SC 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:
CY7C13181XC 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:
CY7C1318AV18-167BZC 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述: 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:
CY7C1318AV-200BZCES 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:
CY7C1318BV18-167BZC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 1Mx18 1.8V COM DDR II 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
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