參數(shù)資料
型號(hào)： CY7C1315BV18
廠商： Cypress Semiconductor Corp.
英文描述： 18-Mbit QDR-II SRAM 4-Word Burst Architecture(4字Burst結(jié)構(gòu),18-Mbit QDR-II SRAM)
中文描述： 18兆位QDR - II型SRAM的4字突發(fā)架構(gòu)（4字突發(fā)結(jié)構(gòu),18 - Mbit的QDR - II型的SRAM）
文件頁(yè)數(shù)： 24/28頁(yè)
文件大?。?/td> 459K
代理商： CY7C1315BV18
CY7C1311BV18
CY7C1911BV18
CY7C1313BV18
CY7C1315BV18
Document Number: 38-05620 Rev. *C
Page 24 of 28
Switching Waveforms
[30, 31, 32]
Read/Write/Deselect Sequence
Notes:
30.Q00 refers to output from address A0. Q01 refers to output from the next internal burst address following A0, i.e., A0+1.
31.Output are disabled (High-Z) one clock cycle after a NOP.
32.In this example, if address A2 = A1, then data Q20 = D10 and Q21 = D11. Write data is forwarded immediately as read results. This note applies to the whole
diagram.
K
1
2
3
4
5
6
7
RPS
WPS
A
Q
D
C
C
READ
READ
WRITE
WRITE
NOP
NOP
DON’T CARE
UNDEFINED
CQ
CQ
K
A0
A1
tKH
tKHKH
tKL
tCYC
t
tHC
tSA
tHA
A2
SC
t
tHC
SC
A3
tKHCH
tKHCH
tCQD
tCLZ
DOH
tCHZ
t
t
tKL
tCYC
tCCQO
tCCQO
tCQOH
tCQOH
KHKH
KH
Q00
Q03
Q01
Q02
Q20
Q23
Q21
Q22
tCO
tCQDOH
t
D10
D11
D12
D13
tSD
tHD
tSD
tHD
D30
D31
D32
D33
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CY7C1318AV18 18-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture(18-Mb DDR-II SRAM（2-Word Burst結(jié)構(gòu)）)
CY7C1316AV18 18-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture
CY7C1316AV18-167BZC 18-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture
CY7C1318AV18-200BZC 18-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture
CY7C1318AV18-250BZC 18-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
CY7C1315BV18-167BZC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 512Kx36 1.8V COM QDR II 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1315BV18-167BZCT 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 512Kx36 1.8V COM QDR II 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1315BV18-200BZC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 512Kx36 1.8V COM QDR II 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1315BV18-200BZI 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 512Kx36 1.8V IND QDR II 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1315BV18-200BZXC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 512Kx36 1.8V COM QDR II 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
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